| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题研究的背景及意义 | 第9-11页 |
| 1.2 论文结构与安排 | 第11-12页 |
| 参考文献 | 第12-15页 |
| 第二章 纳米图形衬底异变外延介绍 | 第15-31页 |
| 2.1 异变外延介绍 | 第15-17页 |
| 2.1.1 MOCVD技术介绍 | 第15-16页 |
| 2.1.2 GaAs/Si异变外延 | 第16页 |
| 2.1.3 InP/GaAs异变外延 | 第16-17页 |
| 2.2 图形衬底降低外延层位错密度的机制 | 第17-18页 |
| 2.3 图形衬底的结构设计 | 第18-20页 |
| 2.4 纳米图形衬底制作技术 | 第20-27页 |
| 2.4.1 光刻技术制作纳米图形衬底 | 第20-22页 |
| 2.4.2 非光刻技术制作纳米图形衬底 | 第22-27页 |
| 参考文献 | 第27-31页 |
| 第三章 无掩膜纳米图形Si衬底外延GaAs | 第31-51页 |
| 3.1 无掩膜图形衬底 | 第31-33页 |
| 3.1.1 具有(111)面图形结构的无掩膜图形Si衬底及其制作方法 | 第31-32页 |
| 3.1.2 其它图形结构的无掩膜图形Si衬底 | 第32-33页 |
| 3.2 无掩膜纳米图形Si衬底的制作和处理 | 第33-37页 |
| 3.2.1 无掩膜圆柱型纳米图形Si衬底的制作 | 第33-36页 |
| 3.2.2 无掩膜圆孔型纳米图形Si衬底的制作 | 第36-37页 |
| 3.2.3 无掩膜纳米图形Si衬底表面清洗处理 | 第37页 |
| 3.3 无掩膜圆柱型纳米图形Si衬底外延GaAs | 第37-46页 |
| 3.3.1 三步法生长GaAs | 第38-43页 |
| 3.3.2 三步法结合循环退火法生长GaAs | 第43-46页 |
| 3.4 无掩膜圆孔型纳米图形Si衬底外延GaAs | 第46-50页 |
| 3.4.1 三步法生长GaAs | 第46-47页 |
| 3.4.2 三步法结合循环退火生长GaAs | 第47-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 第四章 SiO_2掩膜纳米图形Si衬底外延GaAs | 第51-61页 |
| 4.1 掩膜图形衬底 | 第51-52页 |
| 4.2 SiO_2掩膜圆孔型纳米图形Si衬底制作 | 第52-55页 |
| 4.2.1 光刻胶为刻蚀掩膜刻蚀SiO_2 | 第52-54页 |
| 4.2.2 金属Ni为刻蚀掩膜刻蚀SiO_2 | 第54-55页 |
| 4.3 SiO_2掩膜圆孔型纳米图形Si衬底表面清洗 | 第55-56页 |
| 4.4 SiO_2掩膜圆孔型纳米图形Si衬底外延生长GaAs | 第56-59页 |
| 4.4.1 三步法生长200nm的GaAs | 第56-57页 |
| 4.4.2 三步法生长1.8μm的GaAs | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第五章 InP/GaAs纳米异变外延 | 第61-69页 |
| 5.1 SiO_2掩膜光栅图形GaAs衬底的制作及处理 | 第61-65页 |
| 5.2 SiO_2掩膜光栅图形GaAs衬底外延InP | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第71页 |
