| 致谢 | 第3-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第12-27页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第12-13页 |
| 1.2 半导体材料载流子输运参数 | 第13-14页 |
| 1.3 半导体材料检测技术的分类 | 第14-15页 |
| 1.4 光学检测技术研究进展 | 第15-23页 |
| 1.4.1 光电导技术 | 第15-17页 |
| 1.4.2 调制光反射技术 | 第17-18页 |
| 1.4.3 自由载流子吸收技术 | 第18-20页 |
| 1.4.4 光热辐射技术 | 第20-22页 |
| 1.4.5 光致发光技术 | 第22-23页 |
| 1.5 光载流子辐射技术研究进展 | 第23-25页 |
| 1.6 本论文主要研究内容 | 第25-27页 |
| 2 非线性光载流子辐射技术理论基础 | 第27-45页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 光载流子产生和复合理论 | 第27-32页 |
| 2.3 光载流子输运理论 | 第32-36页 |
| 2.3.1 载流子的漂移和扩散 | 第32-33页 |
| 2.3.2 载流子输运方程求解 | 第33-36页 |
| 2.4 光载流子辐射理论 | 第36-39页 |
| 2.4.1 Planck辐射理论 | 第36-39页 |
| 2.4.2 光载流子辐射信号 | 第39页 |
| 2.5 仿真与实验结果分析 | 第39-44页 |
| 2.5.1 光载流子空间分布 | 第40-41页 |
| 2.5.2 掺杂浓度对PCR信号的影响 | 第41页 |
| 2.5.3 PCR信号功率非线性效应 | 第41-43页 |
| 2.5.4 非线性效应对参数测量的影响 | 第43-44页 |
| 2.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 3 多光斑光载流子辐射技术 | 第45-66页 |
| 3.1 引言 | 第45页 |
| 3.2 测量系统的仪器频率响应问题 | 第45-48页 |
| 3.3 多光斑光载流子辐射技术原理 | 第48-49页 |
| 3.4 载流子输运参数的获取 | 第49-50页 |
| 3.5 多光斑光载流子辐射仿真分析 | 第50-56页 |
| 3.5.1 激励光光斑尺寸对信号的影响 | 第50-51页 |
| 3.5.2 载流子寿命对信号的影响 | 第51-52页 |
| 3.5.3 载流子扩散系数对信号的影响 | 第52页 |
| 3.5.4 前表面复合速率对信号的影响 | 第52-53页 |
| 3.5.5 载流子输运参数测量灵敏度分析 | 第53-56页 |
| 3.6 实验测量系统与应用 | 第56-65页 |
| 3.6.1 实验测量系统 | 第56-57页 |
| 3.6.2 理论假设的实验验证 | 第57-59页 |
| 3.6.3 载流子输运参数的测量 | 第59-65页 |
| 3.7 本章小结 | 第65-66页 |
| 4 稳态光载流子辐射成像技术 | 第66-81页 |
| 4.1 引言 | 第66-67页 |
| 4.2 稳态光载流子辐射成像技术原理 | 第67页 |
| 4.3 稳态光载流子辐射仿真分析 | 第67-71页 |
| 4.3.1 载流子寿命对信号的影响 | 第68页 |
| 4.3.2 载流子扩散系数对信号的影响 | 第68-69页 |
| 4.3.3 前表面复合速率对信号的影响 | 第69-70页 |
| 4.3.4 后表面复合速率对信号的影响 | 第70页 |
| 4.3.5 掺杂浓度对信号的影响 | 第70-71页 |
| 4.4 在单晶硅测量中的应用 | 第71-75页 |
| 4.4.1 实验系统 | 第71-72页 |
| 4.4.2 成像系统中的非线性测量结果 | 第72-73页 |
| 4.4.3 载流子输运参数的测量 | 第73-74页 |
| 4.4.4 与多光斑光载流子辐射技术测量结果比较分析 | 第74-75页 |
| 4.5 在离子注入退火测量中的应用 | 第75-80页 |
| 4.5.1 离子注入剂量的监测 | 第76-78页 |
| 4.5.2 离子注入能量的监测 | 第78-79页 |
| 4.5.3 离子注入样品退火温度的监测 | 第79-80页 |
| 4.6 本章小结 | 第80-81页 |
| 5 光载流子辐射技术在光诱导缺陷和超浅结准分子激光退火中的应用 | 第81-102页 |
| 5.1 引言 | 第81-82页 |
| 5.2 光载流子辐射技术测量光诱导缺陷 | 第82-92页 |
| 5.2.1 光诱导B-O缺陷的相关特性 | 第82-83页 |
| 5.2.2 光诱导B-O缺陷的光载流子辐射测量模型 | 第83-85页 |
| 5.2.3 硼掺杂直拉单晶硅中光诱导B-O缺陷实验分析 | 第85-89页 |
| 5.2.4 超浅结中光诱导B-O缺陷分析 | 第89-92页 |
| 5.3 光载流子辐射技术监测准分子激光退火 | 第92-101页 |
| 5.3.1 准分子激光退火仿真分析 | 第92-94页 |
| 5.3.2 准分子激光退火实验结果分析 | 第94-101页 |
| 5.4 本章小结 | 第101-102页 |
| 6 总结与展望 | 第102-105页 |
| 6.1 论文主要工作 | 第102-103页 |
| 6.2 本论文创新点 | 第103页 |
| 6.3 对后续工作的建议 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-124页 |
| 附录A 稳态光激发三维载流子输运方程解 | 第124-125页 |
| 附录B 单晶硅的光学常数和吸收系数 | 第125-126页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第126-128页 |
