| 第1章 引言 | 第8-13页 |
| 1.1 多晶 Si 薄膜的研究历史 | 第8-9页 |
| 1.2 多晶 Si 薄膜的重要应用 | 第9-11页 |
| 1.3 纳米多晶 Si 薄膜的应用及研究现状 | 第11页 |
| 1.4 纳米多晶 Si 薄膜的制备方法 | 第11-12页 |
| 1.5 本研究采取的方法和研究意义 | 第12-13页 |
| 第2章 实验方法 | 第13-19页 |
| 2.1 实验装置 | 第13-14页 |
| 2.1.1 LPCVD 实验装置 | 第13-14页 |
| 2.1.2 热退火装置 | 第14页 |
| 2.2 实验条件 | 第14-16页 |
| 2.2.1 本征纳米多晶 Si 薄膜的制备 | 第15页 |
| 2.2.2 掺杂纳米多晶 Si 薄膜的制备 | 第15页 |
| 2.2.3 热退火的实验条件 | 第15-16页 |
| 2.3 纳米多晶 Si 薄膜的结构表征 | 第16-17页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜 | 第16页 |
| 2.3.2 原子力显微镜 | 第16页 |
| 2.3.3 拉曼散射 | 第16-17页 |
| 2.3.4 α台阶仪 | 第17页 |
| 2.4 薄层电阻 RS 的测量 | 第17-19页 |
| 第3章 纳米多晶 Si 薄膜的生长速率 | 第19-26页 |
| 3.1 纳米多晶 Si 薄膜淀积的动力学 | 第19-21页 |
| 3.1.1 多晶Si 薄膜沉积过程 | 第19-20页 |
| 3.1.2 SiH 4 的低压化学气相淀积动力学 | 第20-21页 |
| 3.2 纳米多晶 Si 薄膜的生长速率 | 第21-26页 |
| 3.2.1 薄膜生长速率与淀积温度的关系 | 第21-23页 |
| 3.2.2 薄膜生长速率与SiH 4 浓度的关系 | 第23-24页 |
| 3.2.3 薄膜生长速率与混合气体总压强的关系 | 第24-26页 |
| 第4章 纳米多晶Si薄膜的结构特征 | 第26-42页 |
| 4.1 纳米多晶 Si 薄膜形成的机理 | 第26-27页 |
| 4.2 工艺条件对纳米多晶 Si 薄膜形成的影响 | 第27-39页 |
| 4.2.1 淀积时间 | 第27-31页 |
| 4.2.2 淀积温度 | 第31-36页 |
| 4.2.3 SiH 4 浓度 | 第36-37页 |
| 4.2.4 反应气体压强 | 第37-39页 |
| 4.3 热退火对纳米多晶 Si 薄膜的影响 | 第39-42页 |
| 4.3.1 退火温度 | 第39-41页 |
| 4.3.2 退火时间 | 第41-42页 |
| 第5章 掺杂纳米多晶Si薄膜的结构和电导特性 | 第42-50页 |
| 5.1 掺杂对纳米多晶 Si 薄膜沉积速率的影响 | 第42-44页 |
| 5.2 掺杂对纳米多晶 Si 薄膜结构特征的影响 | 第44-46页 |
| 5.2.1 硼掺杂α? Si 薄膜的固相晶化(SPC) | 第44-46页 |
| 5.2.2 硼掺杂纳米多晶 Si 薄膜的热退火特性 | 第46页 |
| 5.3 掺杂纳米多晶 Si 薄膜的电导特性 | 第46-50页 |
| 5.3.1 影响多晶 Si 薄膜电导性能的因素 | 第47页 |
| 5.3.2 掺杂浓度对纳米多晶Si 薄膜的电导特性的影响 | 第47-48页 |
| 5.3.3 退火时间和温度对纳米多晶 Si 薄膜的电导特性的影响 | 第48-50页 |
| 第6章 结束语 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
