| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第9-10页 |
| 缩略语对照表 | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| 1.1 研究意义 | 第13页 |
| 1.2 研究现状 | 第13-18页 |
| 1.2.1 国外相关研究进展 | 第14-16页 |
| 1.2.2 国内相关研究进展 | 第16-17页 |
| 1.2.3 计算流体动力学仿真的研究和意义 | 第17-18页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第18-21页 |
| 第二章 InAlN材料的基本性质及其生长技术 | 第21-31页 |
| 2.1 In AlN材料的基本性质 | 第21-23页 |
| 2.1.1 晶体结构 | 第21-22页 |
| 2.1.2 光学性质与电学性质 | 第22-23页 |
| 2.2 In AlN材料的生长技术 | 第23-26页 |
| 2.2.1 MBE技术 | 第23页 |
| 2.2.2 MOCVD技术 | 第23-24页 |
| 2.2.3 In AlN材料生长的关键技术 | 第24页 |
| 2.2.4 PMOCVD技术原理 | 第24-26页 |
| 2.3 化学反应动力学原理 | 第26-28页 |
| 2.3.1 气相反应动力学 | 第26-27页 |
| 2.3.2 表面反应动力学 | 第27-28页 |
| 2.4 MOCVD生长InAlN的化学反应动力学分析 | 第28-30页 |
| 2.4.1 TMIn的气相化学反应 | 第28页 |
| 2.4.2 TMAl的化学反应动力学分析 | 第28-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 计算流体动力学仿真模型 | 第31-47页 |
| 3.1 流体力学的基本方程 | 第31-34页 |
| 3.2 MOCVD生长理论 | 第34-39页 |
| 3.2.1 边界层理论 | 第34-36页 |
| 3.2.2 Grove理论 | 第36-37页 |
| 3.2.3 质量输运方程和气相反应方程 | 第37-39页 |
| 3.3 PMOCVD的Fluent仿真模型 | 第39-44页 |
| 3.3.1 Fluent算法简介 | 第39-41页 |
| 3.3.2 模型的基本假设 | 第41-42页 |
| 3.3.3 边界条件 | 第42-43页 |
| 3.3.4 Fluent化学反应模型 | 第43-44页 |
| 3.4 反应物参数的获得 | 第44-46页 |
| 3.4.1 Materials Studio简介 | 第44页 |
| 3.4.2 Dmol3计算 | 第44-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 PMOCVD生长InAlN的CFD模拟 | 第47-57页 |
| 4.1 PMOCVD反应室以及脉冲模型 | 第47-48页 |
| 4.2 MOCVD与PMOCVD的Fluent模拟对比 | 第48-56页 |
| 4.2.1 连续流量MOCVD的Fluent模拟 | 第49-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 PMOCVD的正交优化模拟分析 | 第57-65页 |
| 5.1 正交优化的原理 | 第57-59页 |
| 5.1.1 正交实验简介 | 第57-58页 |
| 5.1.2 正交法的试验设计以及其基本环节 | 第58页 |
| 5.1.3 正交表种类与选择 | 第58-59页 |
| 5.2 PMOCVD的正交实验设计 | 第59-64页 |
| 5.2.1 未考虑化学反应的PMOCVD正交实验 | 第61-62页 |
| 5.2.2 考虑化学反应情况下PMOCVD的正交实验 | 第62-64页 |
| 5.3 本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 作者简介 | 第73-74页 |
