MOCVD法制备氧化铝薄膜及其阻变特性
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 新型非易失性存储器 | 第11-15页 |
| 1.1.1 铁电存储器 | 第11-13页 |
| 1.1.2 磁阻存储器 | 第13页 |
| 1.1.3 相变存储器 | 第13-14页 |
| 1.1.4 阻变存储器 | 第14-15页 |
| 1.2 阻变存储器的研究现状 | 第15-19页 |
| 1.2.1 阻变存储器的研究发展 | 第15-17页 |
| 1.2.2 阻变存储器的工作原理 | 第17-19页 |
| 1.3 阻变存储器的材料体系 | 第19-21页 |
| 1.3.1 钙钛矿氧化物 | 第19-20页 |
| 1.3.2 金属氧化物 | 第20-21页 |
| 1.3.3 固态电解质材料 | 第21页 |
| 1.3.4 有机材料 | 第21页 |
| 1.4 阻变存储器的物理机制 | 第21-25页 |
| 1.4.1 导电细丝理论 | 第21-23页 |
| 1.4.2 空间电荷限制电流效应 | 第23-24页 |
| 1.4.3 肖特基发射效应 | 第24页 |
| 1.4.4 普尔-法兰克效应 | 第24-25页 |
| 1.5 本论文研究的主要内容 | 第25-27页 |
| 2 氧化铝薄膜特性及制备方法 | 第27-34页 |
| 2.1 氧化铝薄膜的性质及应用 | 第27-28页 |
| 2.1.1 氧化铝薄膜性质 | 第27页 |
| 2.1.2 氧化铝薄膜的应用 | 第27-28页 |
| 2.2 氧化铝薄膜制备技术 | 第28-30页 |
| 2.2.1 溶胶-凝胶法 | 第28-29页 |
| 2.2.2 磁控溅射法 | 第29页 |
| 2.2.3 电子束蒸发法 | 第29页 |
| 2.2.4 化学气相沉积法 | 第29-30页 |
| 2.3 氧化铝薄膜的表征 | 第30-33页 |
| 2.3.1 台阶仪 | 第30页 |
| 2.3.2 X射线衍射 | 第30-31页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱 | 第31页 |
| 2.3.4 原子力显微镜 | 第31-32页 |
| 2.3.5 可见光透射谱 | 第32页 |
| 2.3.6 半导体参数分析仪 | 第32-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 3 MOCVD法制备氧化铝薄膜及表征 | 第34-46页 |
| 3.1 MOCVD实验设备 | 第34-36页 |
| 3.1.1 气体控制系统 | 第34-35页 |
| 3.1.2 材料反应腔 | 第35-36页 |
| 3.1.3 温度控制系统 | 第36页 |
| 3.2 氧化铝薄膜的制备 | 第36-37页 |
| 3.3 生长参数对薄膜的影响 | 第37-41页 |
| 3.3.1 蒸发温度对晶体质量的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.2 生长温度对晶体质量的影响 | 第38-39页 |
| 3.3.3 氧气流量对晶体质量的影响 | 第39-41页 |
| 3.4 氧化铝薄膜的表征 | 第41-44页 |
| 3.4.1 台阶仪 | 第41-42页 |
| 3.4.2 原子力显微镜 | 第42页 |
| 3.4.3 X射线光电子能谱 | 第42-43页 |
| 3.4.4 透射谱 | 第43-44页 |
| 3.4.5 电学表征 | 第44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 4 氧化铝薄膜的忆阻特性 | 第46-55页 |
| 4.1 氧化铝忆阻器的制备 | 第46-47页 |
| 4.1.1 电极选择 | 第46页 |
| 4.1.2 器件制备 | 第46-47页 |
| 4.2 氧化铝的忆阻特性 | 第47-53页 |
| 4.2.1 非晶氧化铝的忆阻特性 | 第48-51页 |
| 4.2.2 多晶氧化铝的忆阻特性 | 第51-52页 |
| 4.2.3 非晶及多晶氧化铝忆阻特性的对比 | 第52-53页 |
| 4.3 氧化铝阻变理论分析 | 第53-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
