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面向低维量子器件的自组装InAs量子点的MOCVD生长及性能研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
目录第8-10页
1 绪论第10-15页
    1.1 InAs量子点的研究背景及意义第10-11页
    1.2 InAs量子点器件研究进展第11-13页
    1.3 本论文组织结构第13-15页
2 材料的MOCVD生长及表征技术第15-33页
    2.1 MOVCD外延技术简介第15页
    2.2 常见半导体材料的基本特性第15-19页
    2.3 MOCVD材料生长基础第19-24页
    2.4 材料及器件表征技术第24-32页
    2.5 本章小结第32-33页
3 GaAs衬底上InAs/GaAs量子点的MOCVD生长研究第33-53页
    3.1 生长时间对量子点影响第33-35页
    3.2 生长温度对量子点影响第35-36页
    3.3 退火氛围对量子点影响第36-39页
    3.4 Ⅴ/Ⅲ对InAs量子点的影响第39-43页
    3.5 衬底偏角对InAs量子点的影响第43-45页
    3.6 InGaAs应力缓冲层对InAs量子点的影响第45-46页
    3.7 GaAs盖层对InAs量子点发光性能的影响第46-52页
    3.8 本章小结第52-53页
4 Ge衬底上InAs/GaAs量子点的MOCVD生长研究第53-75页
    4.1 GaAs/Ge异质外延生长第54-63页
    4.2 InAs/GaAs量子点在Ge衬底上外延生长第63-74页
    4.3 本章小结第74-75页
5 L3腔与InAs量子点耦合研究第75-87页
    5.1 腔与量子点耦合器件QED基本理论基础第76页
    5.2 L3腔与量子点耦合器件工艺过程设计第76-78页
    5.3 腔与量子点耦合器件材料的外延生长第78-84页
    5.4 量子点与L3腔耦合器件空桥结构制备第84-86页
    5.5 本章小结第86-87页
6 量子点多结太阳能电池第87-104页
    6.1 太阳能电池基础理论第90-94页
    6.2 基于匹配多结太阳能电池结构的InAs量子点生长第94-98页
    6.3 量子点多结太阳能电池研究第98-103页
    6.4 本章小结第103-104页
7 总结和展望第104-107页
    7.1 论文总结第104-105页
    7.2 展望第105-107页
致谢第107-109页
参考文献第109-122页
附录1 博士期间发表论文情况第122-124页
附录2 TEM截面样品制备步骤第124-125页

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