| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 1 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 InAs量子点的研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 InAs量子点器件研究进展 | 第11-13页 |
| 1.3 本论文组织结构 | 第13-15页 |
| 2 材料的MOCVD生长及表征技术 | 第15-33页 |
| 2.1 MOVCD外延技术简介 | 第15页 |
| 2.2 常见半导体材料的基本特性 | 第15-19页 |
| 2.3 MOCVD材料生长基础 | 第19-24页 |
| 2.4 材料及器件表征技术 | 第24-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 3 GaAs衬底上InAs/GaAs量子点的MOCVD生长研究 | 第33-53页 |
| 3.1 生长时间对量子点影响 | 第33-35页 |
| 3.2 生长温度对量子点影响 | 第35-36页 |
| 3.3 退火氛围对量子点影响 | 第36-39页 |
| 3.4 Ⅴ/Ⅲ对InAs量子点的影响 | 第39-43页 |
| 3.5 衬底偏角对InAs量子点的影响 | 第43-45页 |
| 3.6 InGaAs应力缓冲层对InAs量子点的影响 | 第45-46页 |
| 3.7 GaAs盖层对InAs量子点发光性能的影响 | 第46-52页 |
| 3.8 本章小结 | 第52-53页 |
| 4 Ge衬底上InAs/GaAs量子点的MOCVD生长研究 | 第53-75页 |
| 4.1 GaAs/Ge异质外延生长 | 第54-63页 |
| 4.2 InAs/GaAs量子点在Ge衬底上外延生长 | 第63-74页 |
| 4.3 本章小结 | 第74-75页 |
| 5 L3腔与InAs量子点耦合研究 | 第75-87页 |
| 5.1 腔与量子点耦合器件QED基本理论基础 | 第76页 |
| 5.2 L3腔与量子点耦合器件工艺过程设计 | 第76-78页 |
| 5.3 腔与量子点耦合器件材料的外延生长 | 第78-84页 |
| 5.4 量子点与L3腔耦合器件空桥结构制备 | 第84-86页 |
| 5.5 本章小结 | 第86-87页 |
| 6 量子点多结太阳能电池 | 第87-104页 |
| 6.1 太阳能电池基础理论 | 第90-94页 |
| 6.2 基于匹配多结太阳能电池结构的InAs量子点生长 | 第94-98页 |
| 6.3 量子点多结太阳能电池研究 | 第98-103页 |
| 6.4 本章小结 | 第103-104页 |
| 7 总结和展望 | 第104-107页 |
| 7.1 论文总结 | 第104-105页 |
| 7.2 展望 | 第105-107页 |
| 致谢 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-122页 |
| 附录1 博士期间发表论文情况 | 第122-124页 |
| 附录2 TEM截面样品制备步骤 | 第124-125页 |
