SiC衬底上GaN基蓝光LED的MOCVD外延生长研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 氮化物半导体材料基本性质 | 第10-14页 |
| 1.3 SiC 作为衬底的选择依据 | 第14-15页 |
| 1.4 GaN 基 LED 的研究历史与现状 | 第15-16页 |
| 1.5 本文研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 MOCVD 生长设备及表征手段 | 第18-33页 |
| 2.1 MOCVD 系统 | 第19-23页 |
| 2.1.1 气体输运分系统 | 第19-22页 |
| 2.1.2 反应室分系统 | 第22-23页 |
| 2.1.3 生长控制分系统 | 第23页 |
| 2.2 原位在线监测系统介绍 | 第23-27页 |
| 2.2.1 发射率校正高温计 | 第23-25页 |
| 2.2.2 反射率计 | 第25-27页 |
| 2.3 表征手段 | 第27-32页 |
| 2.3.1 X 射线衍射（XRD） | 第27-29页 |
| 2.3.2 光致发光（PL） | 第29-30页 |
| 2.3.3 Raman 散射 | 第30-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 SiC 衬底上 GaN 基材料的外延生长 | 第33-50页 |
| 3.1 缓冲层的生长 | 第33-44页 |
| 3.1.1 AlN 缓冲层生长 | 第33-38页 |
| 3.1.2 组分渐变 AlGaN 的生长 | 第38-44页 |
| 3.2 InGaN/GaN 量子阱结构生长工艺 | 第44-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 SiC 衬底上蓝光 LED 外延片的制备 | 第50-65页 |
| 4.1 蓝光 LED 发光波长的确定 | 第50-53页 |
| 4.2 蓝光 LED 结构设计 | 第53-54页 |
| 4.3 蓝光 LED 外延片的生长 | 第54-58页 |
| 4.4 蓝光 LED 外延片的测试结果与分析 | 第58-61页 |
| 4.5 蓝光 LED 外延片发光均匀性的控制 | 第61-64页 |
| 4.6 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 作者简介及在学成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
