| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 AlGaN 材料的优势及面临的问题 | 第10-11页 |
| 1.3 高质量 AlN 材料的特殊意义和研究现状 | 第11-12页 |
| 1.4 论文的组织与结构 | 第12-14页 |
| 2 氮化铝的外延生长机理及表征技术 | 第14-26页 |
| 2.1 金属有机化合物气相外延设备 | 第14-15页 |
| 2.2 AlN 薄膜的 MOCVD 外延生长机理 | 第15-16页 |
| 2.3 反应源的输运系统 | 第16-18页 |
| 2.4 TMAl 源的流量计算 | 第18-20页 |
| 2.5 薄膜表征技术简介 | 第20-24页 |
| 2.6 本章小结 | 第24-26页 |
| 3 高温连续 AlN 模板的生长研究 | 第26-45页 |
| 3.1 异质外延衬底的选择 | 第26-28页 |
| 3.2 脉冲法生长高温 AlN | 第28-31页 |
| 3.3 连续生长法生长 AlN 外延层的参数优化 | 第31-38页 |
| 3.4 AlN 薄膜表面形貌的改善 | 第38-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 4 中温 PALE-AlN 插入层的生长研究 | 第45-60页 |
| 4.1 AlN 薄膜中位错的形成机制 | 第45-47页 |
| 4.2 插入层的模型建立和实验验证 | 第47-52页 |
| 4.3 PALE-AlN 插入层的温度对 AlN 质量的影响 | 第52-54页 |
| 4.4 PALE-AlN 插入层的厚度对 AlN 质量的影响 | 第54-56页 |
| 4.5 AlN 裂纹的消除实验 | 第56-59页 |
| 4.6 本章小结 | 第59-60页 |
| 5 总结与展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-70页 |
| 附录 1 攻读学位期间发表论文目录 | 第70页 |