| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 前言 | 第11-24页 |
| 1.1 ZnO 材料基本性质简介 | 第12-15页 |
| 1.1.1 ZnO 材料的结构特性 | 第12-13页 |
| 1.1.2 ZnO 材料的光学特性 | 第13-14页 |
| 1.1.3 ZnO 材料的缺陷 | 第14-15页 |
| 1.2 ZnO 材料的基本用途 | 第15-16页 |
| 1.3 ZnO 材料研究进展 | 第16-23页 |
| 1.3.1 ZnO 薄膜的生长研究进展 | 第16-17页 |
| 1.3.2 ZnO 器件的研究进展 | 第17-23页 |
| 1.4 本文的研究内容 | 第23-24页 |
| 第二章 ZnO材料的生长及表征方法 | 第24-38页 |
| 2.1 ZnO 材料的制备方法 | 第24-28页 |
| 2.1.1 RF 磁控溅射(RF magnetron sputtering) | 第24-26页 |
| 2.1.2 分子束外延法(MBE) | 第26-27页 |
| 2.1.3 激光脉冲沉积（Pulsed Laser Deposition） | 第27-28页 |
| 2.1.4 金属有机物化学气相沉积（MOCVD） | 第28页 |
| 2.2 MOCVD 法生长 ZnO 薄膜 | 第28-32页 |
| 2.2.1 反应源材料的选择 | 第28-30页 |
| 2.2.2 MOCVD 系统组成 | 第30-32页 |
| 2.3 ZnO 薄膜的的表征技术 | 第32-38页 |
| 2.3.1 原子力显微镜（AFM） | 第33-35页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第35-36页 |
| 2.3.3 X 射线衍射（XRD） | 第36-37页 |
| 2.3.4 光致发光测试（PL） | 第37-38页 |
| 第三章 采用 MOCVD技术在 Si 衬底上生长 ZnO薄膜 | 第38-50页 |
| 3.1 MgO 缓冲层的厚度对 ZnO 薄膜结晶质量的影响 | 第39-44页 |
| 3.1.1 ZnO 样品的的制备流程 | 第39-41页 |
| 3.1.2 MgO 缓冲层的厚度对 ZnO 薄膜表面形貌的影响 | 第41-42页 |
| 3.1.3 MgO 缓冲层的厚度对 ZnO 薄膜晶体质量的影响 | 第42-43页 |
| 3.1.4 MgO 缓冲层的厚度对 ZnO 薄膜光学质量的影响 | 第43-44页 |
| 3.2 MgO 缓冲层退火温度对 ZnO 薄膜晶体质量的影响 | 第44-48页 |
| 3.2.1 ZnO 薄膜的制备 | 第44-45页 |
| 3.2.2 MgO 退火温度的变化对 ZnO 薄膜表面形貌的影响 | 第45-47页 |
| 3.2.3 缓冲层退火温度对 ZnO 晶体结构的影响 | 第47-48页 |
| 3.2.4 缓冲层退火温度对 ZnO 薄膜光学质量的影响 | 第48页 |
| 3.3 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 ZnO异质结器件的制备及其电致发光研究 | 第50-59页 |
| 4.1 n-ZnO/MgO/p-Si 异质结器件的制备流程 | 第50-52页 |
| 4.2 MOCVD 生长的 ZnO 材料的晶体质量分析 | 第52-53页 |
| 4.2.1 ZnO 样品的 SEM 结果分析 | 第52页 |
| 4.2.2 ZnO 样品的 XRD 测试结果分析 | 第52-53页 |
| 4.3 n-ZnO/MgO/p-Si 异质结器件的电学特性研究 | 第53-54页 |
| 4.4 n-ZnO/MgO/p-Si 异质结器件的电致发光特性研究 | 第54-56页 |
| 4.5 n-ZnO/MgO/p-Si 异质结器件的能带特性研究 | 第56-58页 |
| 4.6 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 作者简介 | 第68-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
