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Ga2O3薄膜的高温MOCVD生长与紫外探测器制备研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第11-21页
    1.1 概述第11页
    1.2 Ga_2O_3材料的性质第11-14页
        1.2.1 Ga_2O_3材料的晶体结构第11-14页
        1.2.2 Ga_2O_3材料的光学与电学性质第14页
    1.3 Ga_2O_3材料的应用领域第14-17页
    1.4 Ga_2O_3材料的研究现状第17-19页
    1.5 课题的选取和研究的内容第19-21页
第二章 薄膜的制备与表征方法第21-32页
    2.1 薄膜制备技术第21-24页
        2.1.1 真空蒸发镀膜法第21-22页
        2.1.2 溅射镀膜法第22页
        2.1.3 分子束外延法第22-23页
        2.1.4 溶胶-凝胶法第23-24页
        2.1.5 化学气相沉积法第24页
    2.2 MOCVD系统结构第24-27页
    2.3 薄膜表征方法简述第27-32页
        2.3.1 X射线衍射(XRD)第27-28页
        2.3.2 透射光谱测试第28-29页
        2.3.3 原子力显微镜第29-30页
        2.3.4 光致发光谱测试第30页
        2.3.5 扫描电子显微镜第30-31页
        2.3.6 霍尔测试仪第31-32页
第三章 Ga_2O_3薄膜的制备与优化第32-43页
    3.1 Ga_2O_3薄膜的MOCVD制备第32-35页
        3.1.1 Ga_2O_3薄膜衬底的选取第32-33页
        3.1.2 Ga_2O_3薄膜的金属有机源选取第33页
        3.1.3 Ga_2O_3薄膜的制备过程第33-35页
    3.2 缓冲层对Ga_2O_3薄膜的影响第35-38页
        3.2.1 缓冲层对Ga_2O_3薄膜晶体质量的影响第35-36页
        3.2.2 缓冲层对Ga_2O_3薄膜光学性质的影响第36页
        3.2.3 缓冲层对Ga_2O_3薄膜表面形貌的影响第36-37页
        3.2.4 缓冲层对Ga_2O_3薄膜电学性质的影响第37-38页
    3.3 反应温度对Ga_2O_3薄膜的影响第38-41页
        3.3.1 反应温度对Ga_2O_3薄膜晶体质量的影响第38-39页
        3.3.2 反应温度对Ga_2O_3薄膜光学性质的影响第39-41页
        3.3.3 反应温度对Ga_2O_3薄膜电学性质的影响第41页
    3.4 Ga_2O_3薄膜内部应力引起的晶格畸变分析第41-42页
    3.5 小结第42-43页
第四章 Ga_2O_3薄膜的退火工艺研究第43-55页
    4.1 退火条件的选取第43-44页
    4.2 退火氛围对Ga_2O_3薄膜特性的影响第44-47页
        4.2.1 XRD衍射谱分析第44-45页
        4.2.2 光致发光(PL)谱分析第45页
        4.2.3 样品透射(UV)比较分析第45-46页
        4.2.4 AFM比较分析第46-47页
    4.3 退火温度对Ga_2O_3薄膜特性的影响第47-51页
        4.3.1 Ga_2O_3薄膜的X射线衍射谱分析第47-49页
        4.3.2 Ga_2O_3薄膜的光学性质测试第49-50页
        4.3.3 Ga_2O_3薄膜的表面形貌表征第50-51页
    4.4 退火时间对Ga_2O_3薄膜质量的影响第51-54页
        4.4.1 Ga_2O_3薄膜的X射线衍射谱分析第51-52页
        4.4.2 Ga_2O_3薄膜的光学性质测试第52-53页
        4.4.3 Ga_2O_3薄膜的表面形貌表征第53-54页
    4.5 本章小结第54-55页
第五章 Ga_2O_3基日盲紫外探测器的制备第55-61页
    5.1 Ga_2O_3薄膜的光电导型日盲紫外探测器简介第55-57页
        5.1.1 Ga_2O_3日盲紫外探测器的结构与原理第55-56页
        5.1.2 Ga_2O_3日盲紫外探测器测试参数第56-57页
    5.2 Ga_2O_3日盲紫外探测器的制备第57-58页
    5.3 Ga_2O_3日盲紫外探测器测试分析第58-60页
    5.4 小结第60-61页
第六章 总结第61-63页
参考文献第63-68页
攻读硕士学位期间发表论文第68-69页
致谢第69页

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