Si(111)上AIN薄膜的生长与研究
| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 AlN材料的特性 | 第10-11页 |
| 1.3 AlN材料的制备 | 第11-13页 |
| 1.4 AlN材料的应用 | 第13-15页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第15页 |
| 1.6 本章小结 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-19页 |
| 第二章 CVD生长AIN薄膜简介 | 第19-30页 |
| 2.1 CVD外延生长原理 | 第19-20页 |
| 2.2 CVD的分类与优势 | 第20-21页 |
| 2.3 薄膜生长的模式 | 第21-22页 |
| 2.4 AlN薄膜的MOCVD外延生长 | 第22-23页 |
| 2.5 复合型CVD材料生长系统简介 | 第23-28页 |
| 2.6 衬底的清洗和外延生长步骤 | 第28页 |
| 2.7 本章小结 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-30页 |
| 第三章 Si(111)衬底上AlN成核层的生长 | 第30-39页 |
| 3.1 引言 | 第30-31页 |
| 3.2 样品的制备与表征 | 第31页 |
| 3.3 生长时间对AlN成核层晶体质量的影响 | 第31-37页 |
| 3.3.1 AlN成核层的拉曼谱分析 | 第31-32页 |
| 3.3.2 AlN成核层的SEM分析 | 第32-34页 |
| 3.3.3 AlN成核层的厚度分析 | 第34-35页 |
| 3.3.4 AlN成核层的AFM分析 | 第35-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第四章 Si(111)衬底上AlN薄膜的生长研究 | 第39-51页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 样品的制备与表征 | 第39-40页 |
| 4.3 生长时间对AlN薄膜晶体质量的影响 | 第40-46页 |
| 4.3.1 AlN薄膜的XRD分析 | 第40-42页 |
| 4.3.2 AlN薄膜材料的SEM分析 | 第42-44页 |
| 4.3.3 AlN薄膜材料的CL分析 | 第44-45页 |
| 4.3.4 AlN薄膜的AFM分析 | 第45-46页 |
| 4.4 AlN/Si(111)上外延SiC的研究 | 第46-49页 |
| 4.4.1 样品的制备与表征 | 第47页 |
| 4.4.2 样品生长的数据分析 | 第47-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 第五章 结论 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文和申请专利目录 | 第54-55页 |
