| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 Ga_2O_3材料的性质 | 第9-11页 |
| 1.1.1 Ga_2O_3的晶体结构 | 第9-11页 |
| 1.1.2 β-Ga_2O_3的光学和电学性质 | 第11页 |
| 1.2 Ga_2O_3材料的应用 | 第11-15页 |
| 1.2.1 Ga_2O_3气敏传感器 | 第12-13页 |
| 1.2.2 Ga_2O_3薄膜电致发光器件(TFEL) | 第13-14页 |
| 1.2.3 紫外探测器 | 第14页 |
| 1.2.4 Ga_2O_3深紫外透明导电薄膜 | 第14-15页 |
| 1.3 Ga_2O_3薄膜制备的研究进展 | 第15-17页 |
| 1.4 课题的选取和研究的内容 | 第17-19页 |
| 2 生长β-Ga_2O_3薄膜所用的MOCVD设备及表征方法 | 第19-28页 |
| 2.1 金属有机物化学气相沉积工艺与设备 | 第19-24页 |
| 2.1.1 金属有机物化学气相沉积技术概况 | 第19-20页 |
| 2.1.2 MOCVD设备和生长系统 | 第20-23页 |
| 2.1.3 MOCVD技术的优缺点 | 第23-24页 |
| 2.2 本文中所用的β-Ga_2O_3薄膜的表征方法 | 第24-28页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第24-26页 |
| 2.2.2 透射吸收谱测试 | 第26页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第26页 |
| 2.2.4 Filmetrics膜厚测量系统 | 第26-28页 |
| 3 β-Ga_2O_3薄膜的制备与退火处理 | 第28-34页 |
| 3.1 应用金属有机物化学气相沉积工艺制备β-Ga_2O_3薄膜 | 第28-32页 |
| 3.1.1 衬底的选择 | 第28-30页 |
| 3.1.2 金属有机源 | 第30-31页 |
| 3.1.3 β-Ga_2O_3薄膜的制备过程 | 第31-32页 |
| 3.2 β-Ga_2O_3薄膜的退火 | 第32-34页 |
| 4 c面蓝宝石上外延β-Ga_2O_3薄膜的测试与分析 | 第34-43页 |
| 4.1 β-Ga_2O_3薄膜厚度的测量 | 第34-35页 |
| 4.2 β-Ga_2O_3薄膜晶体质量的表征 | 第35-37页 |
| 4.3 β-Ga_2O_3薄膜光学质量的表征 | 第37-38页 |
| 4.4 β-Ga_2O_3薄膜的表面形貌表征 | 第38-39页 |
| 4.5 β-Ga_2O_3薄膜内部应力引起的晶格畸变的分析 | 第39-42页 |
| 4.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 5 退火处理后的β-Ga_2O_3薄膜的表征 | 第43-54页 |
| 5.1 不同时间退火处理后的β-Ga_2O_3薄膜的表征 | 第43-48页 |
| 5.1.1 β-Ga_2O_3薄膜结晶质量的测试与分析 | 第43-45页 |
| 5.1.2 β-Ga_2O_3薄膜光学性质的测试与分析 | 第45-47页 |
| 5.1.3 β-Ga_2O_3薄膜表面形貌的测试与分析 | 第47-48页 |
| 5.2 不同温度退火处理后的β-Ga_2O_3薄膜的表征 | 第48-53页 |
| 5.2.1 β-Ga_2O_3薄膜结晶质量的测试与分析 | 第48-50页 |
| 5.2.2 β-Ga_2O_3薄膜光学性质的测试与分析 | 第50-52页 |
| 5.2.3 β-Ga_2O_3薄膜表面形貌的测试与分析 | 第52-53页 |
| 5.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
