| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 GaN-MOCVD研究概论 | 第9页 |
| 1.2 MOCVD系统简介 | 第9-12页 |
| 1.3 MOCVD国内外发展及其现状 | 第12-15页 |
| 1.3.1 国外MOCVD设备发展及现状 | 第12-13页 |
| 1.3.2 国内MOCVD设备发展及现状 | 第13-15页 |
| 1.4 GaN-MOCVD生长过程数值仿真研究历史发展 | 第15-18页 |
| 1.5 存在的问题及本文研究的内容 | 第18-21页 |
| 1.5.1 目前存在的问题跟解决方案 | 第18-19页 |
| 1.5.2 本文研究的内容及意义 | 第19-21页 |
| 第2章 MOCVD反应室输运模型及基础理论 | 第21-30页 |
| 2.1 FLUENT软件简介及使用 | 第21-24页 |
| 2.1.1 FLUENT软件的功能 | 第21-22页 |
| 2.1.2 FLUENT软件的数值仿真过程 | 第22-24页 |
| 2.1.3 边界条件的设定 | 第24页 |
| 2.2 本文轴对称MOCVD反应室的数学模型 | 第24-29页 |
| 2.2.1 控制方程 | 第24-26页 |
| 2.2.2 流体学相关理论 | 第26-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 MOCVD小容量垂直喷淋式反应室优化设计 | 第30-45页 |
| 3.1 反应室结构与仿真模型 | 第30-31页 |
| 3.2 喷淋头高度对外延生长的影响 | 第31-36页 |
| 3.2.1 仿真结果分析 | 第32-36页 |
| 3.3 反应室内压强对外延生长的影响 | 第36-44页 |
| 3.3.1 仿真与实验结果分析 | 第37-38页 |
| 3.3.2 压强对流场分布的影响 | 第38-40页 |
| 3.3.3 压强对GaN薄膜沉积一致性的影响 | 第40-42页 |
| 3.3.4 压强对平均生长速率的影响 | 第42-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 大容量MOCVD垂直喷淋式反应室优化设计 | 第45-63页 |
| 4.1 工艺参数大幅调节对反应室内的流场的影响研究 | 第45-53页 |
| 4.1.1 反应室结构与数值仿真研究方法 | 第45-47页 |
| 4.1.2 仿真结果及讨论 | 第47-53页 |
| 4.2 反应室几何结构优化 | 第53-57页 |
| 4.2 1 结构优化设计方案 | 第53页 |
| 4.2.2 仿真与结果分析 | 第53-57页 |
| 4.3 反应室工艺优化设计 | 第57-61页 |
| 4.3.1 反应室工艺优化设计方案 | 第57-58页 |
| 4.3.2 反应室工艺优化仿真及结果分析 | 第58-59页 |
| 4.3.3 TMG进口工艺研究 | 第59-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结及展望 | 第63-65页 |
| 5.1 全文总结 | 第63页 |
| 5.2 展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第70页 |