| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-26页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 高电子迁移率晶体管HEMT的研究背景 | 第10-13页 |
| 1.2.1 HEMT器件的研究历史 | 第10-11页 |
| 1.2.2 HEMT器件的研究意义 | 第11-13页 |
| 1.3 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的研究意义 | 第13-18页 |
| 1.3.1 氮化镓材料的基本性质 | 第13-16页 |
| 1.3.2 AlGaN/GaN HEMT器件的应用前景 | 第16-18页 |
| 1.4 SiC基AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的研究意义 | 第18-23页 |
| 1.4.1 SiC衬底外延生长GaN材料的优势 | 第18-20页 |
| 1.4.2 SiC衬底外延生长GaN材料存在的问题和研究进展 | 第20-22页 |
| 1.4.3 SiC基AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的发展前景 | 第22-23页 |
| 1.5 本文的研究思路和主要内容 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-26页 |
| 第二章 MOCVD设备及材料表征手段介绍 | 第26-34页 |
| 2.1 引言 | 第26页 |
| 2.2 MOCVD简介 | 第26-30页 |
| 2.2.1 MOCVD技术简介 | 第26-27页 |
| 2.2.2 MOCVD系统组成 | 第27-30页 |
| 2.2.3 MOCVD生长机制 | 第30页 |
| 2.3 样品表征方法 | 第30-32页 |
| 2.3.1 光学显微镜 | 第30页 |
| 2.3.2 X射线双晶衍射(XRD) | 第30-31页 |
| 2.3.3 光致发光 | 第31页 |
| 2.3.4 拉曼散射 | 第31-32页 |
| 2.3.5 原子力显微镜(AFM) | 第32页 |
| 2.3.6 霍尔测试 | 第32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 AlN缓冲层实验 | 第34-44页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 AlN温度调节 | 第34-36页 |
| 3.3 AlN厚度调节 | 第36-38页 |
| 3.4 AlN生长Ⅴ/Ⅲ调节 | 第38-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第四章 AlGaN插入层实验 | 第44-52页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 AlGaN加入前后对比实验 | 第44-46页 |
| 4.3 AlGaN厚度调节 | 第46-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第五章 HEMT器件验证及性能分析 | 第52-63页 |
| 5.1 引言 | 第52页 |
| 5.2 材料研究 | 第52-55页 |
| 5.2.1 材料生长 | 第52-53页 |
| 5.2.2 测试分析 | 第53-55页 |
| 5.3 HEMT器件 | 第55-60页 |
| 5.3.1 工艺流程 | 第55-56页 |
| 5.3.2 器件研究分析 | 第56-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 第六章 结论与展望 | 第63-65页 |
| 在学期间的研究成果 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
