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金属-氧化物-半导体（MOS）器件
硅基CMOS毫米波前端关键电路研究与设计
界面陷阱对SiC MOS迁移率和阈值稳定性的影响
高k/InGaAs MOS电容界面特性研究
基于RESURF技术的pLDMOS设计和研究
常温太赫兹检测器CMOS读出电路设计
功率MOSFET热特性及其长贮寿命研究
Ge MOS器件阈值电压模型及ZrLaON栅介质研究
X射线管球灯丝驱动控制电路设计
4H-SiC VDMOSFET器件研发和制备
高k栅介质Ge MOS器件界面钝化层材料及工艺优化研究
单层二硫化钼薄膜的制备及银纳米颗粒优化其晶体管光响应性能研究
多晶金刚石半导体材料及MOSFET器件研究
CMOS反相器总剂量辐照效应建模方法研究
650V高压VDMOS氮化硅工艺优化与可靠性提升
高κ栅介质Ge基MOS器件界面特性研究
基于电场调制理论的纳米MOSFET新结构研究
功率4H-SiC UMOSFET结构设计与数值仿真
功率UMOSFET高功率微波损伤效应及其加固方法研究
14/16 nm ETSOI器件仿真与研制
硅基MOS器件温度特性分析及实现高温的工艺参数设计
MOSFET管芯温度估算
高k栅介质Ge MOS界面层材料、结构及钝化工艺研究
高k栅介质GaAs MOS器件界面特性及氧化物陷阱电容效应研究
一种高压MOS器件栅极氧化层制程改善方法
大功率MOSFET振荡器电路的设计
MOSFET封装不良与最终测试的技术研究
消除TrenchMOS表面静电的光刻工艺改进
金属栅/高K栅介质层/Ge MOS电容研究
具有n-top层的triple RESURF LDMOS器件与模型研究
超低比导的新型场板LDMOS研究与实现
新型终端LDMOS设计与工艺实现
沟道和漂移区正应变的LDMOS器件制作方案和优化
大功率射频LDMOS器件设计优化与建模
射频LDMOS内匹配技术研究
基于体电场调制技术的高压LDMOS器件研究
0.35μm垂直沟道功率芯片背金工艺优化和缺陷改善
太赫兹CMOS器件建模技术研究
Pt/HfO2堆叠结构及MoS2沟道功函数的第一性原理研究
高k栅介质Ge基MOS器件电特性模拟及界面特性研究
超低比导通电阻槽型功率MOS新结构与机理研究
MOS管在不同温度下的可靠性探究
60V 功率U-MOSFET失效分析与再设计
Y2O3/Si MOS电容制备及特性研究
硅通孔热应力对于器件性能的影响的研究
基于电场调制的新型横向超结功率器件
纳米MOS器件TID与HCI效应关联分析
退火条件对4H-SiC/SiO2 MOS电容特性的影响研究
SOI高压工艺下器件的特性表征与分析
基于高k栅介质的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体MOS器件研究
600V功率MOSFET器件的元胞结构研究
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