| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外现状及发展趋势 | 第9-12页 |
| 1.3 论文的主要研究内容 | 第12-14页 |
| 2 硅材料及硅基MOS器件的温度特性 | 第14-32页 |
| 2.1 硅材料主要物理参数的温度特性 | 第14-21页 |
| 2.1.1 硅材料本征载流子浓度的温度特性 | 第14-17页 |
| 2.1.2 硅材料费米能级的温度特性 | 第17-19页 |
| 2.1.3 硅材料载流子迁移率的温度特性 | 第19-21页 |
| 2.2 硅基MOS器件基本结构及工作特性 | 第21-24页 |
| 2.3 硅基MOS器件性能指标参数的温度特性 | 第24-31页 |
| 2.3.1 硅基MOS器件阈值电压的温度特性 | 第24-25页 |
| 2.3.2 硅基MOS器件泄漏电流的温度特性 | 第25-26页 |
| 2.3.3 硅基MOS器件跨导的温度特性 | 第26-28页 |
| 2.3.4 硅基MOS器件反向击穿电压的温度特性 | 第28-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 3 硅基MOS器件高温工艺参数设计及优化 | 第32-53页 |
| 3.1 工艺参数与硅基MOS器件性能指标参数的关系 | 第32-37页 |
| 3.1.1 工艺参数与硅基MOS器件阈值电压的关系 | 第32-34页 |
| 3.1.2 工艺参数与硅基MOS器件泄漏电流的关系 | 第34-36页 |
| 3.1.3 工艺参数与硅基MOS器件跨导的关系 | 第36页 |
| 3.1.4 工艺参数与硅基MOS器件击穿电压的关系 | 第36-37页 |
| 3.2 MOS器件高温工艺参数的设计 | 第37-45页 |
| 3.2.1 硅基MOS器件高温工艺参数设计方法 | 第39-44页 |
| 3.2.2 硅基MOS器件高温工艺参数设计实例 | 第44-45页 |
| 3.3 MOS器件高温工艺参数的优化设计 | 第45-52页 |
| 3.3.1 硅基MOS器件衬底掺杂浓度的优化 | 第46-48页 |
| 3.3.2 硅基MOS器件栅氧化层厚度的优化 | 第48-49页 |
| 3.3.3 硅基MOS器件沟道长度及源漏结深的优化 | 第49-51页 |
| 3.3.4 硅基MOS器件高温工艺参数优化实例 | 第51-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 4 硅基MOS器件高温工艺参数仿真验证 | 第53-69页 |
| 4.1 工艺仿真软件SilvacoTCAD | 第53-56页 |
| 4.2 硅基MOS器件高温工艺仿真方法 | 第56-61页 |
| 4.3 硅基MOS器件高温工艺参数仿真验证 | 第61-68页 |
| 4.3.1 高温工艺参数设计仿真验证 | 第61-66页 |
| 4.3.2 高温工艺参数优化仿真验证 | 第66-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 5 结论与展望 | 第69-71页 |
| 5.1 结论 | 第69-70页 |
| 5.2 展望 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 附录A 仿真程序 | 第75-80页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第80页 |
| 攻读学位期间获得的专利 | 第80页 |
| 攻读学位期间获得的荣誉 | 第80页 |
