| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 功率MOSFET器件概述 | 第11-14页 |
| 1.1.1 LDMOS器件简述 | 第13-14页 |
| 1.1.2 VDMOS器件简述 | 第14页 |
| 1.2 研究热点 | 第14-15页 |
| 1.3 研究现状 | 第15-17页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第17-19页 |
| 第二章 功率MOS器件导通损耗及开关损耗降低技术 | 第19-31页 |
| 2.1 电荷积累技术 | 第19-21页 |
| 2.2 电流分布调制技术 | 第21-23页 |
| 2.3 纵向超结技术 | 第23-26页 |
| 2.4 分离栅技术 | 第26-29页 |
| 2.4.1 器件动态损耗基础 | 第26-28页 |
| 2.4.2 分离栅技术在功率器件中应用 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 超低损耗功率FINFET器件研究 | 第31-51页 |
| 3.1 SG-FINFET器件的结构机理 | 第31-33页 |
| 3.2 SG-FINFET器件的静态特性 | 第33-44页 |
| 3.2.1 导通特性 | 第33-35页 |
| 3.2.2 阻断特性 | 第35-37页 |
| 3.2.3 特征参数优化 | 第37-43页 |
| 3.2.4 静态特性小结 | 第43-44页 |
| 3.3 SG FINFET器件的动态特性 | 第44-48页 |
| 3.4 SG FINFET器件工艺实现 | 第48-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 具有电荷积累层的超低比导高压VDMOS器件研究 | 第51-65页 |
| 4.1 器件结构与机理 | 第51-53页 |
| 4.2 器件静态特性研究 | 第53-58页 |
| 4.2.1 正向导通特性 | 第53-56页 |
| 4.2.2 耐压特性 | 第56-58页 |
| 4.2.3 静态特性小结 | 第58页 |
| 4.3 器件动态特性研究 | 第58-60页 |
| 4.4 器件关键参数的影响 | 第60-63页 |
| 4.4.1 漂移区掺杂浓度的影响 | 第61-62页 |
| 4.4.2 漂移区宽度及氧化层厚度的影响 | 第62-63页 |
| 4.5 工艺实施方案 | 第63-64页 |
| 4.6 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第71-72页 |