| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第10-16页 |
| 1.1 课题的背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究动态 | 第12-14页 |
| 1.3 本论文主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 应力引入技术和应力施加方案 | 第16-29页 |
| 2.1 应变硅技术 | 第16-22页 |
| 2.1.1 双轴应变技术 | 第17-19页 |
| 2.1.2 单轴应变技术 | 第19-22页 |
| 2.2 氮化硅盖帽层(CESL)应变技术 | 第22-25页 |
| 2.2.1 氮化硅应力膜施加应力过程 | 第22-23页 |
| 2.2.2 氮化硅应力膜覆盖方式 | 第23-25页 |
| 2.3 沟道与漂移区正应变的LDMOS器件 | 第25-28页 |
| 2.3.1 体硅LDMOS器件结构 | 第25-26页 |
| 2.3.2 对LDMOS器件应力施加 | 第26-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 氮化硅材料应力提升与应力器件制作工艺 | 第29-50页 |
| 3.1 淀积高应力的氮化硅薄膜 | 第30-39页 |
| 3.1.1 氮化硅薄膜的本征应力 | 第30-31页 |
| 3.1.2 测试应力的方法 | 第31-32页 |
| 3.1.3 淀积氮化硅设备 | 第32-35页 |
| 3.1.4 PECVD淀积高压应力氮化硅膜 | 第35-37页 |
| 3.1.5 PECVD淀积高张应力氮化硅膜 | 第37-39页 |
| 3.2 退火温度对氮化硅薄膜本征应力的影响 | 第39-40页 |
| 3.3 硅片翘曲 | 第40-46页 |
| 3.3.1 应力导致的翘曲问题分析 | 第40-41页 |
| 3.3.2 翘曲问题解决 | 第41-46页 |
| 3.4 应力器件制作工艺 | 第46-48页 |
| 3.4.1 应力施加方案 | 第46-47页 |
| 3.4.2 应力器件工艺步骤 | 第47-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 沟道和漂移区正应变的LDMOS器件电学特性 | 第50-69页 |
| 4.1 器件参数校正 | 第50-56页 |
| 4.2 沟道和漂移区正应边LDMOS电学特性 | 第56-66页 |
| 4.2.1 应力分析 | 第56-62页 |
| 4.2.2 应力对器件性能的提升 | 第62-66页 |
| 4.3 工艺偏差对应力器件电学特性的影响 | 第66-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 结论 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-77页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第77-78页 |