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场效应器件
SiC MOSFET雪崩耐量若干问题研究
基于SiC MOSFET的高压医疗X光机电源若干关键技术研究
基于印刷碳纳米管和金属氧化物薄膜晶体管的杂化CMOS反相器的构建及电性能研究
酞菁系有机光电晶体管的制备与特性分析
硅基CMOS毫米波前端关键电路研究与设计
基于二维/三维材料异质结的新型电荷耦合器件及热电子晶体管
二维电子气太赫兹波负阻增强研究：放大器与调制器
碲化钼场效应晶体管的退火效应的理论及应用研究
半导体接触界面对场效应晶体管电学性能的调控及其机制研究
SiC MOSFET短路特性研究
钝化层加NH3等离子体处理改善GaAs MOS界面特性研究
SiC MOSFET开关行为及故障诊断研究
新型本征GaN帽层AlGaN/GaN HEMTs结构设计及实验研究
GLSI铝栅CMP材料与工艺的研究
石墨烯场效应晶体管的制备及相关性能研究
新型GeSn材料及相关场效应器件关键技术研究
热蒸发SiO_x在氮化镓高电子迁移率晶体管中的应用研究
串联SiC MOSFET驱动研究
L型TFET器件的优化及模拟研究
隧穿场效应晶体管性能研究
F注入增强型AlGaN/GaN HEMTs器件及电应力可靠性研究
界面陷阱对SiC MOS迁移率和阈值稳定性的影响
SiO2/4H-SiC（0001）界面碳二聚体缺陷钝化的第一性原理研究
4H-SiC肖特基结型α粒子探测器的制备与性能研究
宽光谱响应小分子体异质结光敏有机场效应管
矩形FET中太赫兹波的传播
场效应晶体管太赫兹混频探测器的场耦合机制和结构研究
SiC MOSFET功率模块中压测试平台研制及其应用
AlGaN/GaN MOS(MIS)HEMT中电子迁移率及Ⅰ-Ⅴ输出特性
高k/InGaAs MOS电容界面特性研究
石墨烯-SiC材料制备及其光电特性
氮化镓HEMT器件温度特性研究
65nm NMOS器件的HCI效应仿真与测试
CMOS与非门的HPM效应研究
生物电信号CMOS模拟前端电路与系统研究
槽栅与氧等离子体处理的AlGaN/GaN HEMT特性及温度稳定性研究
2.5Mbps全双工线路收发器的设计研究
新型碳基场效应管及其应用电路的研究与设计
VDMOS的JFET效应研究
高集成度模块化CCD成像系统关键技术研究
新型Ge基TFET关键技术研究
基于二维黑磷材料的场效应晶体管及其电输运研究
高压GaN基电力电子器件制备与陷阱电学特性研究
CVD金刚石材料生长及氢终端金刚石场效应晶体管研究
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管模型研究与功率放大器设计
基于有机金属卤化物钙钛矿MOS电容特性研究
Ge基nMOSFET器件与工艺技术研究
新型Ge基FET关键技术研究
高性能4H-SiC功率VDMOSFET器件设计及关键工艺研究
典型NBTI效应和带偏置NBTI效应的数值模拟研究
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