| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-27页 |
| 1.1 研究目的和意义 | 第17-19页 |
| 1.2 横向功率器件LDMOS | 第19-27页 |
| 1.2.1 功率MOSFET与LDMOS | 第19-20页 |
| 1.2.2 LDMOS器件的几种终端技术 | 第20-27页 |
| 第二章 横向超结LDMOS | 第27-41页 |
| 2.1 超结的概念 | 第27-30页 |
| 2.2 横向超结LDMOS发展状况 | 第30-37页 |
| 2.3 仿真软件简介 | 第37-38页 |
| 2.4 本文的主要工作和创新 | 第38-41页 |
| 第三章 具有缓冲层分区的BSD SJ-LDMOS | 第41-53页 |
| 3.1 BSD SJ-LDMOS器件结构与工作原理 | 第42-44页 |
| 3.2 BSD SJ-LDMOS仿真结果分析 | 第44-49页 |
| 3.2.1 BSD SJ-LDMOS关断特性分析 | 第44-48页 |
| 3.2.2 BSD SJ-LDMOS导通特性分析 | 第48-49页 |
| 3.3 BSD SJ-LDMOS工艺简介 | 第49-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 具有电阻场板的SIPOS SJ-LDMOS | 第53-65页 |
| 4.1 SIPOS SJ-LDMOS器件结构与工作原理 | 第53-54页 |
| 4.2 SIPOS SJ-LDMOS仿真结果分析 | 第54-63页 |
| 4.2.1 SIPOS SJ-LDMOS关断特性分析 | 第55-59页 |
| 4.2.2 SIPOS SJ-LDMOS漏电分析 | 第59-60页 |
| 4.2.3 SIPOS SJ-LDMOS导通特性分析 | 第60-63页 |
| 4.3 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 具有阶梯场氧的SOSJ-LDMOS | 第65-77页 |
| 5.1 SOSJ-LDMOS器件结构和原理 | 第65-67页 |
| 5.2 SOSJ-LDMOS仿真结果分析 | 第67-74页 |
| 5.2.1 SOSJ-LDMOS器件结构参数优化 | 第68-69页 |
| 5.2.2 SOSJ-LDMOS关断特性分析 | 第69-70页 |
| 5.2.3 SOSJ-LDMOS导通特性分析 | 第70-73页 |
| 5.2.4 SJ-LDMOS性能比较 | 第73-74页 |
| 5.3 SOSJ-LDMOS工艺简介 | 第74-76页 |
| 5.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 第六章 结论与展望 | 第77-81页 |
| 6.1 结论 | 第77-78页 |
| 6.2 展望 | 第78-81页 |
| 参考文献 | 第81-87页 |
| 致谢 | 第87-89页 |
| 作者简介 | 第89-92页 |
