| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 课题的研究背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 MOSFET和IGBT的区别 | 第11-12页 |
| 1.3 MOSFET介绍 | 第12页 |
| 1.4 本文主要工作和内容 | 第12-14页 |
| 第二章 MOSFET的选型要点及工作特性分析 | 第14-25页 |
| 2.1 MOSFET选型 | 第14-17页 |
| 2.1.1 截止电压VDS(耐压) | 第14-15页 |
| 2.1.2 额定电流ID | 第15页 |
| 2.1.3 体二极管特性 | 第15-17页 |
| 2.2 MOSFET的动态工作特性及功耗计算 | 第17-24页 |
| 2.2.1 MOSFET的动态工作特性 | 第17-20页 |
| 2.2.2 MOSFET的功耗计算 | 第20-24页 |
| 2.2.2.1 MOSFET的导通损耗 | 第21-22页 |
| 2.2.2.2 MOSFET的开关损耗及体二极管损耗 | 第22-24页 |
| 2.2.2.3 MOSFET的输出电容损耗和驱动损耗 | 第24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 MOSFET管芯温度估算模型构建 | 第25-47页 |
| 3.1 MOSFET温度与寿命的关系 | 第25-26页 |
| 3.2 热电比拟理论 | 第26-28页 |
| 3.3 实验硬件电路设计 | 第28-34页 |
| 3.3.1 硬件电路及数据处理 | 第28-33页 |
| 3.3.2 PCB设计 | 第33-34页 |
| 3.4 实验电路散热设计 | 第34-37页 |
| 3.4.1 散热结构设计 | 第34-35页 |
| 3.4.2 散热器及导热垫选取 | 第35-37页 |
| 3.5 MOSFET实验数据分析及管芯温度估算理论模型构建 | 第37-46页 |
| 3.5.1 试验数据及分析 | 第37-39页 |
| 3.5.2 MOSFET管芯温度估算模型构建 | 第39-46页 |
| 3.6 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 控制器温度保护设计 | 第47-53页 |
| 4.1 控制器温度保护目的与方法 | 第47页 |
| 4.2 控制器MOSFET温升实验数据与理论模型对比分析 | 第47-49页 |
| 4.3 控制器MOSFET温度保护模型建立 | 第49-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 作者简介 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
