| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-33页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第10-16页 |
| 1.2 高k栅介质Ge MOS器件的优势 | 第16-23页 |
| 1.3 高k栅介质Ge MOS器件所面临的挑战 | 第23-24页 |
| 1.4 高k栅介质Ge MOS器件研究现状 | 第24-30页 |
| 1.5 高k栅介质pMOSFET阈值电压研究进展 | 第30-31页 |
| 1.6 本文主要工作及内容安排 | 第31-33页 |
| 第二章 高k栅介质Ge MOS器件制备工艺及特性表征 | 第33-47页 |
| 2.1 MOS器件制备工艺 | 第33-40页 |
| 2.2 薄膜性能表征 | 第40-42页 |
| 2.3 MOS器件电学特性表征 | 第42-46页 |
| 2.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 不同界面钝化层对HfTiON/Ge MOS界面及电特性影响的研究 | 第47-72页 |
| 3.1 引言 | 第47-48页 |
| 3.2 HfTiON/GGO/Ge MOS器件 | 第48-56页 |
| 3.3 HfTiON/TaYON/Ge MOS器件 | 第56-64页 |
| 3.4 HfTiON/ZrLaON/Ge MOS器件 | 第64-70页 |
| 3.5 三种界面钝化层样品的性能比较 | 第70页 |
| 3.6 本章小结 | 第70-72页 |
| 第四章 双界面钝化层高k栅介质Ge MOS界面及电性能研究 | 第72-93页 |
| 4.1 引言 | 第72页 |
| 4.2 HfLaON/(NbON/Si)/Ge MOS器件 | 第72-79页 |
| 4.3 HfTiON/(LaON/Si)/Ge MOS器件 | 第79-85页 |
| 4.4 多层ZrON/TaON栅介质Ge MOS器件 | 第85-91页 |
| 4.5 本章小结 | 第91-93页 |
| 第五章 Ge pMOSFET阈值电压模型 | 第93-106页 |
| 5.1 有钝化层的Ge pMOSFET阈值电压模型 | 第93-99页 |
| 5.2 深亚微米高k栅介质Ge pMOSFET阈值电压模型 | 第99-105页 |
| 5.3 本章小结 | 第105-106页 |
| 第六章 总结与展望 | 第106-110页 |
| 6.1 论文的主要工作与成果 | 第106-108页 |
| 6.2 论文工作的创新点及特色 | 第108-109页 |
| 6.3 工作展望 | 第109-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-126页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第126页 |
