| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 MOSFET 生产过程简介 | 第10-11页 |
| 1.2 MOSFET 的最终测试平台 | 第11-14页 |
| 1.2.1 用于MOSFET 测试的ATE | 第11-12页 |
| 1.2.2 用于MOSFET 测试的Handler | 第12-13页 |
| 1.2.3 MOSFET 测试平台的通信 | 第13-14页 |
| 1.3 MOSFET 的最终测试流程 | 第14-20页 |
| 1.3.1 MOSFET 测试程序的开发 | 第14-16页 |
| 1.3.2 现行的收率管理 | 第16-20页 |
| 1.4 现行最终测试流程的不足之处和本文的研究改进工作 | 第20-21页 |
| 1.5 本文的内容安排 | 第21-22页 |
| 第二章 研究MOSFET 封装不良的最终测试特点 | 第22-45页 |
| 2.1 最终测试流程的生产现状 | 第22页 |
| 2.2 封装不良的数据收集 | 第22-23页 |
| 2.3 对Wafer Sawing 不良类型测试特点的研究 | 第23-28页 |
| 2.3.1 Wafer Sawing 的不良类型 | 第23页 |
| 2.3.2 研究晶粒边缘切割破裂的测试特点 | 第23-26页 |
| 2.3.3 研究晶粒被污染的测试特点 | 第26-28页 |
| 2.3.4 Wafer Sawing 中的其它不良 | 第28页 |
| 2.4 对Die Attach 不良类型测试特点的研究 | 第28-33页 |
| 2.4.1 Die Attach 的不良类型 | 第28-29页 |
| 2.4.2 研究空洞的测试特点 | 第29-33页 |
| 2.4.3 研究晶粒黏贴中的其它问题 | 第33页 |
| 2.5 对Wire Bond 不良类型测试特点的研究 | 第33-41页 |
| 2.5.1 Wire Bond 的不良类型 | 第33-34页 |
| 2.5.2 研究焊线打坏晶粒的测试特点 | 第34-37页 |
| 2.5.3 研究虚焊的测试特点 | 第37-40页 |
| 2.5.4 研究焊线中的其它问题 | 第40-41页 |
| 2.6 对Molding 主要不良类型的研究 | 第41-43页 |
| 2.7 对Trim and Form 主要不良类型的研究 | 第43页 |
| 2.8 封装不良的测试特点 | 第43-44页 |
| 2.9 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 对MOSFET 最终测试流程改进的研究 | 第45-56页 |
| 3.1 综合改进的三个方面 | 第45页 |
| 3.2 计算测试项目上下限――静态方法和动态方法的比较 | 第45-48页 |
| 3.3 用测试结果反映封装不良的分Bin 方案 | 第48-52页 |
| 3.3.1 优化MOSFET 的测试项目和测试顺序 | 第48-51页 |
| 3.3.2 针对封装不良的分Bin 方案 | 第51-52页 |
| 3.4 面向良品率和不良品率的收率管理方案 | 第52-53页 |
| 3.5 最终测试综合改进对产品质量提升的作用 | 第53-55页 |
| 3.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 结束语 | 第56-58页 |
| 4.1 对MOSFET 封装不良与最终测试技术研究的总结 | 第56-57页 |
| 4.2 后续工作的展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第62-65页 |
| 上海交通大学硕士学位论文答辩决议书 | 第65页 |
