| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 1 绪论 | 第6-19页 |
| 1.1 功率器件的简介 | 第6-8页 |
| 1.2 垂直沟道功率器件的结构分类 | 第8-13页 |
| 1.2.1 VVMOS 的简介 | 第8-10页 |
| 1.2.2 VDMOS 简介 | 第10-11页 |
| 1.2.3 VUMOS 简介 | 第11-13页 |
| 1.3 垂直沟道功率器件重要参数 | 第13-16页 |
| 1.4 垂直沟道功率器件的工艺流程 | 第16-17页 |
| 1.5 本文研究背景和目的 | 第17-19页 |
| 2 0.35μm 垂直沟道器件的硅片制造背金工艺简述 | 第19-26页 |
| 2.1 垂直沟道功率器件的硅片制造背金流程 | 第19-24页 |
| 2.1.1 硅片正面保护 | 第19-20页 |
| 2.1.2 硅片减薄 | 第20页 |
| 2.1.3 背面粗糙化 | 第20页 |
| 2.1.4 正面保护解除 | 第20-21页 |
| 2.1.5 背金蒸镀 | 第21-24页 |
| 2.1.6 背面检验 | 第24页 |
| 2.2 背金工艺流程的问题 | 第24-26页 |
| 3 0.35μm 垂直沟道功率的硅片背面粗糙化工艺设制和优化 | 第26-43页 |
| 3.1 背面粗糙化工艺的设制原因和目标 | 第26-28页 |
| 3.2 酸碱化学反应原理 | 第28-29页 |
| 3.3 酸液背面粗糙化 | 第29-37页 |
| 3.3.1 刻蚀速度，硅面形貌与酸液配比的关系 | 第30-32页 |
| 3.3.2 刻蚀速度，硅面形貌与加水稀释比的关系 | 第32-34页 |
| 3.3.3 刻蚀速度，硅面形貌与反应时间的关系 | 第34-37页 |
| 3.4 碱液背面粗糙化 | 第37-40页 |
| 3.4.1 刻蚀速度与KOH 浓度的关系 | 第37-40页 |
| 3.4.2 硅面形貌与碱液反应时间的关系 | 第40页 |
| 3.5 酸液与碱液腐蚀试验比较 | 第40-41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41-43页 |
| 4 0.35μm 垂直沟道功率的硅片背面金属蒸镀工艺参数设定和优化 | 第43-53页 |
| 4.1 背面金属蒸镀工艺参数设定原因和目标 | 第43-46页 |
| 4.1.1 单层金属工艺的缺陷 | 第43-44页 |
| 4.1.2 硅片预热的影响 | 第44页 |
| 4.1.3 金属靶材的熔化的不稳定 | 第44-46页 |
| 4.2 多层金属的选择 | 第46-48页 |
| 4.3 某种硅片的背面金属厚度比设计 | 第48-49页 |
| 4.4 硅片预热温度试验 | 第49-50页 |
| 4.5 金属的预熔时间实验 | 第50-51页 |
| 4.6 本章小结 | 第51-53页 |
| 5 0.35μm 垂直沟道功率的硅片制造背金工艺缺陷解决方案 | 第53-68页 |
| 5.1 缺陷状况 | 第53-57页 |
| 5.2 硅片研磨弯曲的缺陷克服 | 第57-59页 |
| 5.2.1 原因分析 | 第57页 |
| 5.2.2 改善方法 | 第57-59页 |
| 5.3 正面色差的缺陷消除 | 第59-61页 |
| 5.3.1 原因分析 | 第59-61页 |
| 5.3.2 改善方法 | 第61页 |
| 5.4 正面杂质残留的缺陷消除 | 第61-63页 |
| 5.4.1 原因分析 | 第61-62页 |
| 5.4.2 改善方法 | 第62-63页 |
| 5.5 背金脱落的原理及缺陷消除 | 第63-64页 |
| 5.5.1 原因分析 | 第63-64页 |
| 5.5.2 改善方法 | 第64页 |
| 5.6 反应副产物残留的缺陷消除 | 第64-65页 |
| 5.6.1 原因分析 | 第64页 |
| 5.6.2 改善方法 | 第64-65页 |
| 5.7 其他缺陷的原理及缺陷消除 | 第65-66页 |
| 5.8 本章小结 | 第66-68页 |
| 6 结论和展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
