| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 高压VDMOS的应用需求 | 第16-19页 |
| 1.1.1 VDMOS功率器件的主要特性 | 第16-17页 |
| 1.1.2 VDMOS技术特点 | 第17-19页 |
| 1.2 钝化层质量对VDMOS的影响 | 第19-21页 |
| 1.3 论文的研究目标与章节安排 | 第21-22页 |
| 第二章 高压VDMOS钝化层材料制备及检测 | 第22-38页 |
| 2.1 高压VDMOS钝化层材料及其优缺点 | 第22-24页 |
| 2.1.1 二氧化硅 | 第22页 |
| 2.1.2 磷硅玻璃 | 第22-23页 |
| 2.1.3 氮化硅 | 第23页 |
| 2.1.4 氮氧化硅 | 第23-24页 |
| 2.1.5 聚酰亚胺 | 第24页 |
| 2.2 氮化硅钝化层的制备方法 | 第24-30页 |
| 2.2.1 硅的氮化法 | 第25-26页 |
| 2.2.2 高温CVD法 | 第26页 |
| 2.2.3 常压CVD法 | 第26-27页 |
| 2.2.4 低压CVD法 | 第27页 |
| 2.2.5 光化学CVD法 | 第27-28页 |
| 2.2.6 等离子体增强CVD法 | 第28-30页 |
| 2.3 AMATP5000薄膜淀积设备 | 第30-32页 |
| 2.3.1 AMATP5000设备结构 | 第30-32页 |
| 2.3.2 AMATP5000设备工作原理 | 第32页 |
| 2.4 测试仪器 | 第32-38页 |
| 2.4.1 UV1050椭偏仪 | 第33-34页 |
| 2.4.2 光学显微镜及Hitachi扫描电镜 | 第34-36页 |
| 2.4.3 内应力测试仪 | 第36-38页 |
| 第三章 高压VDMOS钝化层生产工艺对产品质量的影响 | 第38-58页 |
| 3.1 反应气体流量对钝化层质量的影响 | 第38-43页 |
| 3.1.1 不同反应气体流量对钝化层膜厚的影响 | 第39-41页 |
| 3.1.2 不同气体流量比例对钝化膜层折射率的影响 | 第41-42页 |
| 3.1.3 反应气体流量对钝化层表面应力的影响 | 第42-43页 |
| 3.1.4 小结 | 第43页 |
| 3.2 射频功率对钝化膜质量的影响 | 第43-47页 |
| 3.2.1 射频功率对钝化膜层厚度的影响 | 第43-46页 |
| 3.2.2 射频功率对钝化膜层折射率的影响 | 第46页 |
| 3.2.3 射频功率对钝化膜层内应力的影响 | 第46-47页 |
| 3.2.4 小结 | 第47页 |
| 3.3 硅片温度对钝化膜层质量的影响 | 第47-52页 |
| 3.3.1 硅片表面温度对钝化膜层厚度的影响 | 第47-50页 |
| 3.3.2 硅片表面温度对钝化膜折射率的影响 | 第50-51页 |
| 3.3.3 硅片表面温度对钝化膜内应力的影响 | 第51页 |
| 3.3.4 小结 | 第51-52页 |
| 3.4 硅片淀积间距对钝化膜层质量的影响 | 第52-56页 |
| 3.4.1 不同硅片淀积间距对钝化层膜厚的影响 | 第52-54页 |
| 3.4.2 硅片淀积间距对钝化膜层折射率的影响 | 第54-55页 |
| 3.4.3 硅片淀积间距对钝化层内应力的影响 | 第55-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 高压VDMOS钝化层生产工艺的优化 | 第58-66页 |
| 4.1 高压VDMOS功率器件钝化层工艺参数正交实验的设计 | 第58-59页 |
| 4.2 正交实验评分系统的设计 | 第59-61页 |
| 4.3 高压VDMOS功率器件钝化层正交实验结果分析 | 第61-63页 |
| 4.4 高压VDMOS功率器件钝化层宏观及微观形貌分析 | 第63-64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 钝化层质量对高压VDMOS功率器件可靠性影响 | 第66-72页 |
| 5.1 高压VDMOS功率器件可靠性验证 | 第66-67页 |
| 5.2 高压VDMOS功率器件可靠性测试方法 | 第67-68页 |
| 5.3 测试结果分析 | 第68-71页 |
| 5.3.1 高温反偏测试(HTRB)测试结果分析 | 第68页 |
| 5.3.2 高温栅偏测试(HTGB)测试结果分析 | 第68-71页 |
| 5.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 总结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 作者简介 | 第80-81页 |
