| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 MOS器件等比缩小规则 | 第10-12页 |
| 1.3 高k栅介质的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.4 高k栅介质/Ge MOS器件研究现状 | 第13-16页 |
| 1.5 本文的主要工作及内容安排 | 第16-18页 |
| 2 Ge MOS器件制备工艺及性能表征 | 第18-27页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 Ge MOS器件制备工艺 | 第18-21页 |
| 2.3 栅介质薄膜性能表征 | 第21-23页 |
| 2.4 MOS器件电学特性表征 | 第23-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 3 HfTiON/TaON/Ge MOS器件制备工艺研究 | 第27-36页 |
| 3.1 引言 | 第27-28页 |
| 3.2 热退火处理工艺研究 | 第28-31页 |
| 3.3 等离子体处理工艺研究 | 第31-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 4 HfTiON/TaON/Ge MOSNH3等离子体处理工序优化研究 | 第36-45页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 样品制备 | 第36-38页 |
| 4.3 样品测试及结果分析 | 第38-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 5 HfTiON/TaYON/Ge MOS界面钝化层中Y含量优化研究 | 第45-55页 |
| 5.1 引言 | 第45页 |
| 5.2 样品制备 | 第45-46页 |
| 5.3 样品测试及结果分析 | 第46-53页 |
| 5.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 6 总结与展望 | 第55-58页 |
| 6.1 全文总结 | 第55-57页 |
| 6.2 工作展望 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-68页 |
| 附录 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第68页 |
