| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 功率半导体器件的发展 | 第10-11页 |
| 1.2 可靠性概述 | 第11-12页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.4 课题研究的目的和意义 | 第14-15页 |
| 1.5 本文主要工作 | 第15-16页 |
| 第2章 实验介绍 | 第16-23页 |
| 2.1 MOS管的工作原理 | 第16-17页 |
| 2.2 实验参数的选择 | 第17-20页 |
| 2.3 实验数据 | 第20-23页 |
| 第3章 MOS管在不同结温温度下可靠度 | 第23-58页 |
| 3.1 可靠性相关概念 | 第23页 |
| 3.2 线性回归模型 | 第23-30页 |
| 3.2.1 线性回归模型的基本思想 | 第23-24页 |
| 3.2.2 回归系数的最小二乘法估计 | 第24-26页 |
| 3.2.3 150摄氏度下MOS管退化分析 | 第26-27页 |
| 3.2.4 二阶最小二乘法估计 | 第27-28页 |
| 3.2.5 150摄氏度下MOS管退化分析 | 第28-29页 |
| 3.2.6 其他温度下MOS管退化情况 | 第29-30页 |
| 3.3 威布尔（Weibull）分布参数的最优线性无偏估计方法（BLUE） | 第30-46页 |
| 3.3.1 威布尔分布的定义 | 第30-32页 |
| 3.3.2 威布尔分布的可靠度函数 | 第32-33页 |
| 3.3.3 顺序统计量的一、二阶矩 | 第33页 |
| 3.3.4 BLUE系数和参数估计 | 第33-34页 |
| 3.3.5 MOS管在不同温度下的失效分析 | 第34-46页 |
| 3.4 假设检验 | 第46-53页 |
| 3.4.1 假设检验的基本思想 | 第46-47页 |
| 3.4.2 MOS管在不同温度下的失效分布检验 | 第47-53页 |
| 3.5 加速机理的一致性检验 | 第53-54页 |
| 3.6 其他温度下MOS管的可靠性分析 | 第54-58页 |
| 3.6.1 Arrhenius模型 | 第54-55页 |
| 3.6.2 其他温度点下MOS管可靠性分析结果 | 第55页 |
| 3.6.3 加速模型中系数a和b的估计 | 第55-58页 |
| 第4章 总结和展望 | 第58-62页 |
| 4.1 总结 | 第58-61页 |
| 4.2 展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |