| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究工作背景 | 第10-11页 |
| 1.2 高压功率技术发展动态 | 第11-16页 |
| 1.2.1 高压LDMOS器件发展动态 | 第12-14页 |
| 1.2.2 曲率结终端技术发展动态 | 第14-16页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第16-18页 |
| 第二章 具有n-top层的triple RESURF体硅LDMOS器件与模型 | 第18-33页 |
| 2.1 具有n-top层的triple RESURF体硅LDMOS器件 | 第18页 |
| 2.2 具有n-top层的triple RESURF体硅LDMOS模型推导 | 第18-22页 |
| 2.3 具有n-top层的triple RESURF体硅LDMOS模型拟合分析 | 第22-32页 |
| 2.3.1 表面电场与表面电势拟合分析 | 第22-24页 |
| 2.3.2 击穿电压拟合分析 | 第24-25页 |
| 2.3.3 表面n-top层最优剂量拟合分析 | 第25-28页 |
| 2.3.4 工艺仿真与实验结果拟合分析 | 第28-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 具有n-top层的triple RESURF SOI LDMOS器件与模型 | 第33-45页 |
| 3.1 具有n-top层的triple RESURF SOI LDMOS器件 | 第33-34页 |
| 3.2 具有n-top层的triple RESURF SOI LDMOS模型推导 | 第34-37页 |
| 3.3 具有n-top层的triple RESURF SOI LDMOS模型拟合分析 | 第37-44页 |
| 3.3.1 表面电场与表面电势拟合分析 | 第37-39页 |
| 3.3.2 击穿电压拟合分析 | 第39-40页 |
| 3.3.3 表面n-top层最优剂量拟合分析 | 第40-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 具有n-top层的triple RESURF LDMOS的衬底终端设计 | 第45-54页 |
| 4.1 具有n-top层的triple RESURF LDMOS衬底终端结构 | 第45-46页 |
| 4.2 基于衬底终端技术的实验结果分析 | 第46-52页 |
| 4.2.1 参数L_p，D_(pburied)，L_3的实验优化 | 第46-49页 |
| 4.2.2 不同温度下的输出特性曲线与转移特性曲线 | 第49-51页 |
| 4.2.3 不同温度下的反向击穿特性曲线 | 第51页 |
| 4.2.4 电子显微照片的实验结果分析 | 第51-52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 具有n-top层的triple RESURF LDMOS的硅极限理论模型 | 第54-60页 |
| 5.1 击穿电压与比导通电阻的硅极限理论模型推导 | 第54-56页 |
| 5.2 击穿电压与比导通电阻的硅极限理论模型拟合分析 | 第56-57页 |
| 5.3 其他LDMOS器件实验结果比较分析 | 第57-58页 |
| 5.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 第六章 结论 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第66-68页 |
