| 目录 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-8页 |
| Abstract | 第8-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-36页 |
| ·选题背景以及意义 | 第12-16页 |
| ·国内外研究现状综述 | 第16-24页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ上淀积氧化层技术 | 第16页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ上生长本征氧化层技术 | 第16-20页 |
| ·ALD high-k/Ⅲ-Ⅴ MOS技术 | 第20-22页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ MOS技术面临的主要问题 | 第22-24页 |
| ·本论文的主要工作 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25页 |
| ·参考文献 | 第25-36页 |
| 第二章 ALD Al_2O_3/InGaAs NMOSFETs的Fast I_dV_g特性研究 | 第36-59页 |
| ·ALD Al_2O_3/In_(0.65)Ga_(0.35)As NMOSFETs的器件结构与加工工艺 | 第36-37页 |
| ·ALD Al_2O_3/In_(0.65)Ga_(0.35)As NMOSFETs的直流特性 | 第37-40页 |
| ·ALD Al_2O_3/In_(0.65)Ga_(0.35)As NMOSFETs的Fast I_dV_g特性 | 第40-54页 |
| ·Fast I_dV_g的优势 | 第40-46页 |
| ·扩展的快速 I_dV_g的系统 | 第46-51页 |
| ·测试结果以及分析 | 第51-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| ·参考文献 | 第55-59页 |
| 第三章 不同晶向的InP表面特性的系统研究 | 第59-79页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ半导体表面不同晶向的研究 | 第59-61页 |
| ·InP NMOSFETs器件结构与加工工艺 | 第61-62页 |
| ·InP NMOSFETs的电学特性 | 第62-67页 |
| ·InP(111)A NMOSFETs上零电流漂移特性 | 第67-69页 |
| ·电荷中性位置(Charge-Neutral-Level)平移模型 | 第69-71页 |
| ·漏电流漂移的温度特性研究 | 第71-75页 |
| ·本章小结 | 第75页 |
| ·参考文献 | 第75-79页 |
| 第四章 高介电材料/窄带Ⅲ-Ⅴ半导体的界面特性研究 | 第79-96页 |
| ·温度相关的电导方法的物理机制 | 第80-83页 |
| ·实验测试平台 | 第83-84页 |
| ·high-k/InSb和high-k/InAs样品制备及电学特性 | 第84-92页 |
| ·ALD Al_2O_3/InSb MOSCAP的加工工艺 | 第84页 |
| ·ALD Al_2O_3/InAs MOSCAP的加工工艺 | 第84-85页 |
| ·ALD Al_2O_3/InSb电容电压特性 | 第85-88页 |
| ·ALD Al_2O_3/InAs电容电压特性 | 第88-92页 |
| ·本章小结 | 第92页 |
| ·参考文献 | 第92-96页 |
| 第五章 Ⅲ-ⅤpMOSFET沟道材料GaSb的系统研究 | 第96-114页 |
| ·Sb基的Ⅲ-Ⅴ族材料特性 | 第96-98页 |
| ·ALD Al_2O_3/GaSb PMOSFET的样品制备及工艺优化 | 第98-101页 |
| ·ALD HfAlO/GaSb MOSCAP电学特性 | 第101-109页 |
| ·ALD HfAlO/GaSb MOSCAP工艺条件 | 第101-102页 |
| ·ALD HfAlO/GaSb MOSCAP的栅漏特性 | 第102-103页 |
| ·ALD HfAlO/GaSb MOSCAP的CV特性 | 第103-106页 |
| ·ALD HfAlO/GaSb MOSCAP的边界缺陷研究 | 第106-109页 |
| ·本章小结 | 第109-110页 |
| ·参考文献 | 第110-114页 |
| 第六章 全文结论和展望 | 第114-117页 |
| 博士期间发表的论文和专利 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118-119页 |
