| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 功率MOSFET器件概述 | 第11-13页 |
| 1.2 横向功率MOSFET器件简介 | 第13-17页 |
| 1.2.1 研究热点 | 第14页 |
| 1.2.2 研究现状 | 第14-17页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第17-19页 |
| 第二章 横向MOSFET器件耐压及比导通电阻改善技术 | 第19-30页 |
| 2.1 传统场板技术 | 第19-21页 |
| 2.2 横向线性变掺杂技术 | 第21-23页 |
| 2.3 耗尽增强技术 | 第23-26页 |
| 2.4 积累型场板研究 | 第26-29页 |
| 2.4.1 积累型电流输运模式 | 第27-28页 |
| 2.4.2 新型场板结构及机理研究 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 具新型场板的 700V级REBULF LDMOS器件研究与实现 | 第30-51页 |
| 3.1 EG PFL p LDMOS器件的结构机理及参数设定 | 第30-32页 |
| 3.2 EG PFL p LDMOS器件的静态特性 | 第32-42页 |
| 3.2.1 导通特性 | 第33-35页 |
| 3.2.2 阻断特性 | 第35-37页 |
| 3.2.3 关键参数优化 | 第37-41页 |
| 3.2.4 静态特性小结 | 第41-42页 |
| 3.3 EG PFL p LDMOS器件的动态特性 | 第42-45页 |
| 3.4 EG PFL p LDMOS器件的实现 | 第45-50页 |
| 3.4.1 工艺实现 | 第45-48页 |
| 3.4.2 版图设计 | 第48-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 具有新型场板的 400V级RESURF LDMOS器件研究 | 第51-62页 |
| 4.1 EG pLDMOS器件的结构机理及参数设定 | 第51-52页 |
| 4.2 EG pLDMOS器件的导通与阻断特性 | 第52-59页 |
| 4.2.1 导通特性 | 第52-55页 |
| 4.2.2 阻断特性 | 第55-57页 |
| 4.2.3 关键参数的影响 | 第57-59页 |
| 4.3 EG pLDMOS器件的工艺方案 | 第59-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第68-69页 |
