| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 纵向尺寸问题解决方案—金属栅/高k栅介质(Pt/HfO_2) | 第10-17页 |
| 1.2.1 高k栅介质材料的选择 | 第10-13页 |
| 1.2.2 金属栅材料的选择 | 第13-15页 |
| 1.2.3 功函数的作用 | 第15-17页 |
| 1.3 金属栅功函数调控研究概述 | 第17-20页 |
| 1.3.1 单元与多元体系金属栅极功函数调控 | 第17-18页 |
| 1.3.2 金属氮氧化物对栅极功函数调控 | 第18页 |
| 1.3.3 使用纳米覆盖层对金属/高k界面功函数的调控 | 第18-19页 |
| 1.3.4 金属栅功函数的应变调控 | 第19-20页 |
| 1.4 横向尺寸问题解决方案—新型沟道材料MoS_2 | 第20-23页 |
| 1.5 本论文的研究目的、意义和研究内容 | 第23-25页 |
| 1.5.1 研究的目的和意义 | 第23-24页 |
| 1.5.2 研究的内容 | 第24-25页 |
| 第2章 理论方法 | 第25-30页 |
| 2.1 密度泛函理论(DFT)简介 | 第25-28页 |
| 2.1.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第26页 |
| 2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第26-27页 |
| 2.1.3 局域密度近似(LDA) | 第27页 |
| 2.1.4 广义梯度近似(GGA) | 第27-28页 |
| 2.2 VASP软件包简介 | 第28页 |
| 2.3 建模用Materials Studio软件简介 | 第28-30页 |
| 第3章 气氛元素氮(N)对Pt/HfO_2界面有效功函数的调控 | 第30-43页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 界面模型的建立与优化 | 第30-33页 |
| 3.3 界面掺氮模型形成能的计算 | 第33-35页 |
| 3.4 Pt/HfO_2界面有效功函数的计算 | 第35-37页 |
| 3.5 退火气氛元素氮对Pt/HfO_2界面有效功函数的影响 | 第37-41页 |
| 3.6 小结 | 第41-43页 |
| 第4章 MoS_2沟道功函数调控 | 第43-57页 |
| 4.1 引言 | 第43-44页 |
| 4.2 二维材料MoS_2的能带结构变化规律 | 第44-47页 |
| 4.3 二维材料MoS_2的真空功函数变化规律 | 第47-54页 |
| 4.3.1 MoS_2的真空功函数与层间距的关系 | 第47-48页 |
| 4.3.2 MoS_2的真空功函数与厚度（层数）的关系 | 第48-54页 |
| 4.4 MoS_2/HfO_2界面有效功函数与接触模型研究 | 第54-56页 |
| 4.5 小结 | 第56-57页 |
| 第5章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 总结 | 第57-58页 |
| 5.2 展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文及研究成果 | 第65页 |
