| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-20页 |
| 1.1 MOSFET的基本工作原理 | 第7-8页 |
| 1.2 现代MOSFET面临的问题及解决方案 | 第8-18页 |
| 1.2.1 高κ栅介质的相关概念 | 第8-9页 |
| 1.2.2 对高κ栅介质的要求 | 第9-11页 |
| 1.2.3 高κ栅介质的常用制备方法 | 第11-12页 |
| 1.2.4 高κ栅介质面临的主要问题 | 第12-13页 |
| 1.2.5 金属栅(MG)的引入 | 第13-15页 |
| 1.2.6 金属栅的有效功函数和热稳定性 | 第15-16页 |
| 1.2.7 金属栅有效功函数的调制 | 第16-17页 |
| 1.2.8 新型衬底材料 | 第17-18页 |
| 1.2.9 新型器件结构 | 第18页 |
| 1.3 论文中具体涉及到的研究对象和要解决的问题 | 第18-19页 |
| 1.3.1 基于Ge衬底的MG/HK MOS电容结构 | 第18-19页 |
| 1.3.2 要解决的主要问题 | 第19页 |
| 1.4 论文内容安排 | 第19-20页 |
| 第二章 测试、表征方法介绍和寄生效应的修正 | 第20-32页 |
| 2.1 X射线衍射(XRD) | 第20-21页 |
| 2.2 透射电子显微术(TEM) | 第21页 |
| 2.3 二次离子质谱(SIMS) | 第21-22页 |
| 2.4 根据寄生电阻效应对C-V/G-V曲线的修正 | 第22-23页 |
| 2.5 根据寄生电阻和电容效应对C-V/G-V曲线的修正 | 第23-26页 |
| 2.6 电导法表征界面态 | 第26-31页 |
| 2.6.1 电导法表征界面态的原理 | 第26-27页 |
| 2.6.2 根据寄生电阻效应对电导法测量结果的修正 | 第27-29页 |
| 2.6.3 根据寄生电阻和电容效应对电导法测量结果的修正 | 第29-31页 |
| 2.7 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 TiN/HfO_2/GeON/p-Ge电容特性研究 | 第32-42页 |
| 3.1 样品制作及测试 | 第32页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第32-41页 |
| 3.2.1 XRD和TEM测试 | 第32-34页 |
| 3.2.2 退火前后的C-V曲线 | 第34-35页 |
| 3.2.3 退火前后样品的C-V回滞及对其来源的讨论 | 第35-37页 |
| 3.2.4 对栅介质陷阱的表征 | 第37-40页 |
| 3.2.5 对界面态的电导法表征 | 第40-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 HfO_2/GeON/p-Ge电容栅极功函数调制研究 | 第42-53页 |
| 4.1 Al和TiN栅极在退火后对HfO_2/GeON/p-Ge结构的不同影响 | 第42-49页 |
| 4.1.1 样品制作与测试 | 第42-45页 |
| 4.1.2 结果与讨论 | 第45-49页 |
| 4.2 TiN/Al/TiN对HfO_2/GeON/p-Ge电容栅极功函数的调制 | 第49-52页 |
| 4.2.1 样品制作与测试 | 第49页 |
| 4.2.2 结果与讨论 | 第49-52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 硕士期间研究成果 | 第61-62页 |
