| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第10-11页 |
| 缩略语对照表 | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-22页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第14-15页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第15-17页 |
| 1.2.1 TID效应的国内外研究现状 | 第15-16页 |
| 1.2.2 HCI效应的国内外研究现状 | 第16-17页 |
| 1.2.3 HCI效应与TID效应相互作用的关联研究 | 第17页 |
| 1.3 Sentaurus TCAD软件介绍 | 第17-19页 |
| 1.4 论文的主要工作及结构安排 | 第19-22页 |
| 第二章 纳米MOS器件TID效应及仿真分析 | 第22-36页 |
| 2.1 TID效应的物理机理 | 第22-27页 |
| 2.1.1 TID效应的物理过程 | 第22-23页 |
| 2.1.2 氧化层陷阱电荷 | 第23-25页 |
| 2.1.3 界面态陷阱电荷 | 第25-27页 |
| 2.2 纳米工艺下的TID效应机理 | 第27-29页 |
| 2.3 Sentaurus软件模拟 65nm NMOS总剂量辐射效应 | 第29-31页 |
| 2.3.1 65nm NMOS器件结构模拟 | 第29-30页 |
| 2.3.2 辐射效应模拟和仿真条件设置 | 第30-31页 |
| 2.4 TID效应仿真结果分析 | 第31-34页 |
| 2.4.1 器件STI部分电场分布 | 第31-32页 |
| 2.4.2 NMOS器件不同剂量条件下电学特性变化 | 第32-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 纳米MOS器件的HCI效应及仿真分析 | 第36-52页 |
| 3.1 HCI效应的机理及模型 | 第36-40页 |
| 3.1.1 HCI效应的物理机理 | 第36-38页 |
| 3.1.2 HCI效应的物理模型 | 第38-40页 |
| 3.2 热载流子寿命预测模型 | 第40-43页 |
| 3.3 HCI效应的仿真分析 | 第43-50页 |
| 3.3.1 模拟 65nm NMOS的热载流子注入效应的相应模型 | 第44-46页 |
| 3.3.2 65nm NMOS器件的偏置条件选择 | 第46-47页 |
| 3.3.3 65nm NMOS器件电学特性的仿真分析 | 第47-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 TID与HCI效应的关联分析 | 第52-62页 |
| 4.1 TID与HCI机理上的相关性理论分析 | 第52-54页 |
| 4.2 关联效应的仿真分析 | 第54-60页 |
| 4.2.1 关联效应的仿真 | 第54-59页 |
| 4.2.2 仿真结果分析 | 第59-60页 |
| 4.3 本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 工作总结 | 第62页 |
| 5.2 工作展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 作者简介 | 第70-71页 |
