| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 第一章 前言 | 第14-22页 |
| 1.1 引言 | 第14-15页 |
| 1.2 集成电路光刻制造工艺简介 | 第15-18页 |
| 1.3 Trench MOS 简介 | 第18-20页 |
| 1.4 本论文研究背景与意义 | 第20页 |
| 1.5 本论文的研究方向和内容 | 第20-21页 |
| 1.6 本论文的章节安排 | 第21-22页 |
| 第二章 某 Trench MOS 产品失效的原理分析 | 第22-44页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 Trench MOS 工艺简介 | 第22-29页 |
| 2.3 某Trench MOS 产品的特殊结构及失效模式 | 第29-32页 |
| 2.4 光刻区可能影响产品 A yield 的因素 | 第32-39页 |
| 2.5 P well photo 表面静电产生原因 | 第39-41页 |
| 2.6 P well photo 表面静电对产品的影响 | 第41-42页 |
| 2.7 消除表面静电的方案 | 第42-43页 |
| 2.8 本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 光刻显影工艺改进对某Trench MOS 产品工艺特性影响分析 | 第44-53页 |
| 3.1 引言 | 第44页 |
| 3.2 光刻显影工艺概述 | 第44-48页 |
| 3.3 显影工艺特征参数对产品良率的影响 | 第48-51页 |
| 3.4 晶圆表面静电电荷积累区域原理分析 | 第51-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 光刻显影工艺改进对某Trench MOS 产品最终良率的影响分析 | 第53-57页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 缺陷情况 | 第53-55页 |
| 4.3 改进后的测试结果 | 第55-56页 |
| 4.4 产品成品率 | 第56页 |
| 4.5 产量提升 | 第56页 |
| 4.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 结论与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 本文总结 | 第57页 |
| 5.2 下一步研究计划和研究展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第62-65页 |
| 上海交通大学学位论文答辩决议书 | 第65页 |
