SOI高压工艺下器件的特性表征与分析
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| ·SOI技术独特的优势 | 第12-13页 |
| ·SOI高压器件的发展与应用 | 第13-15页 |
| ·研究课题的来源及意义 | 第15页 |
| ·本论文的主要研究内容及结构 | 第15-17页 |
| 第二章 SOI高压工艺下器件的优化理论 | 第17-30页 |
| ·DMOS器件的工作原理与结构分析 | 第17-18页 |
| ·LDMOS器件分析 | 第17-18页 |
| ·VDMOS器件分析 | 第18页 |
| ·SOI高压工艺下器件的耐压理论 | 第18-27页 |
| ·纵向耐压理论 | 第19-22页 |
| ·横向耐压理论 | 第22-27页 |
| ·SOI结构的特殊物理效应 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 器件结构设计与仿真优化 | 第30-38页 |
| ·器件结构设计 | 第30-32页 |
| ·TCAD仿真环境 | 第32-33页 |
| ·器件结构的仿真优化 | 第33-37页 |
| ·线性渐变掺杂漂移区对击穿电压的影响 | 第34-36页 |
| ·阱区对开启电压的影响 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 SOI 600V高压器件工艺仿真及流片 | 第38-48页 |
| ·SOI 600V LDNMOS工艺步骤仿真 | 第38-42页 |
| ·SOI 600V LDNMOS特性参数仿真 | 第42-44页 |
| ·Layout设计及流片实验 | 第44-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 实验结果分析 | 第48-60页 |
| ·器件测试条件及参数提取 | 第48-50页 |
| ·600V LDNMOS器件测试结果与分析 | 第50-59页 |
| ·开启特性测试结果与分析 | 第50-54页 |
| ·输出特性测试结果及分析 | 第54-56页 |
| ·击穿特性测试结果及分析 | 第56-59页 |
| ·仿真与测试结果对比 | 第59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 结论与展望 | 第60-62页 |
| ·结论 | 第60-61页 |
| ·展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 附录 | 第66-74页 |
| 个人简历、在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第74页 |
