| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第11-12页 |
| 1.2 功率UMOSFET发展历史和现状 | 第12-17页 |
| 1.3 HPM损伤效应研究进展 | 第17-20页 |
| 1.4 研究内容与创新 | 第20页 |
| 1.5 本文章节安排 | 第20-22页 |
| 第2章 HPM损伤效应基础 | 第22-29页 |
| 2.1 HPM概述 | 第22-24页 |
| 2.2 HPM损伤效应 | 第24-25页 |
| 2.3 电子系统的HPM损伤机理 | 第25-26页 |
| 2.3.1 HPM与电子系统相互作用的耦合方式 | 第25-26页 |
| 2.3.2 HPM对电子系统的干扰和损伤机制 | 第26页 |
| 2.4 常见半导体器件的HPM损伤机理 | 第26-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 分裂栅功率UMOSFET的HPM损伤效应与机理 | 第29-42页 |
| 3.1 Silvaco TCAD软件简介 | 第29-30页 |
| 3.2 SGE-UMOSFET的结构和基本特性 | 第30-33页 |
| 3.2.1 器件的工作原理 | 第30-32页 |
| 3.2.2 器件的基本电学特性 | 第32-33页 |
| 3.3 HPM感应电压的数学建模 | 第33-35页 |
| 3.4 SGE-UMOSFET的HPM损伤效应模拟研究 | 第35-41页 |
| 3.4.1 HPM作用下器件的温度特性 | 第35-36页 |
| 3.4.2 HPM作用下器件的损伤机理 | 第36-39页 |
| 3.4.3 HPM频率参数对器件损伤效应的影响 | 第39-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 基于P~+源区扩展的抗HPM损伤SGP-UMOSFET | 第42-52页 |
| 4.1 SGP-UMOSFET的结构和基本特性 | 第42-44页 |
| 4.1.1 器件的结构参数 | 第42页 |
| 4.1.2 器件的基本电学特性 | 第42-44页 |
| 4.2 SGP-UMOSFET抗HPM损伤效应的加固原理 | 第44-46页 |
| 4.2.1 影响寄生BJT开启的器件结构参数 | 第44-45页 |
| 4.2.2 HPM损伤效应的加固方法 | 第45-46页 |
| 4.3 SGP-UMOSFET的HPM损伤效应模拟研究 | 第46-48页 |
| 4.4 SGP-UMOSFET的结构参数优化设计 | 第48-51页 |
| 4.4.1 HPM作用下器件温度特性的优化 | 第48-49页 |
| 4.4.2 器件击穿特性与输出特性的优化 | 第49-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 具有PNPN结构的抗HPM损伤SGPN-UMOSFET | 第52-60页 |
| 5.1 SGPN-UMOSFET的结构和基本特性 | 第52-55页 |
| 5.1.1 器件的结构参数 | 第52-53页 |
| 5.1.2 器件的基本电学特性 | 第53-55页 |
| 5.2 SGPN-UMOSFET抗HPM损伤效应的加固原理 | 第55-56页 |
| 5.3 SGPN-UMOSFET的HPM损伤效应模拟研究 | 第56-58页 |
| 5.3.1 HPM作用下器件的温度特性 | 第56-57页 |
| 5.3.2 HPM作用下器件沟道处的电流密度分布 | 第57-58页 |
| 5.4 SGPN-UMOSFET的结构参数优化设计 | 第58-59页 |
| 5.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
