| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-25页 |
| 1.1 二硫化钼的基本性质 | 第8-11页 |
| 1.2 二硫化钼的制备方法 | 第11-16页 |
| 1.2.1 机械剥离法 | 第11-12页 |
| 1.2.2 液相剥离法 | 第12-13页 |
| 1.2.3 气相沉积法 | 第13-15页 |
| 1.2.4 其他方法 | 第15-16页 |
| 1.3 二维材料在光电探测器领域的研究进展 | 第16-24页 |
| 1.3.1 光电探测器的性能指标 | 第16-18页 |
| 1.3.2 光电导型探测器 | 第18-23页 |
| 1.3.3 光电二极管 | 第23-24页 |
| 1.4 本工作的研究目的和意义 | 第24-25页 |
| 2 高质量大面积二硫化钼单晶的制备方法、生长机理及表征 | 第25-43页 |
| 2.1 实验材料设备、方法与表征 | 第25-27页 |
| 2.1.1 实验材料与设备 | 第25-26页 |
| 2.1.2 表征方法 | 第26页 |
| 2.1.3 实验方法 | 第26-27页 |
| 2.2 生长机理研究 | 第27-37页 |
| 2.2.1 低温化学气相沉积生长二硫化钼 | 第28-32页 |
| 2.2.2 高温化学气相沉积生长二硫化钼 | 第32-36页 |
| 2.2.3 二硫化钼生长的条件总结 | 第36-37页 |
| 2.3 单层二硫化钼的表征 | 第37-42页 |
| 2.3.1 形貌与结构表征 | 第37-38页 |
| 2.3.2 光谱表征 | 第38-42页 |
| 2.4 小结 | 第42-43页 |
| 3 银纳米颗粒优化二硫化钼晶体管光探测性能研究 | 第43-62页 |
| 3.1 二硫化钼场效应晶体管的制备 | 第43-46页 |
| 3.1.1 场效应晶体管的工作原理 | 第43-44页 |
| 3.1.2 二硫化钼场效应晶体管的制备 | 第44-46页 |
| 3.2 二硫化钼晶体管场效应性能测试 | 第46-49页 |
| 3.2.1 转移特性曲线 | 第47-48页 |
| 3.2.2 输出特性曲线 | 第48-49页 |
| 3.3 二硫化钼晶体管光探测性能研究 | 第49-52页 |
| 3.3.1 晶体管对光功率的响应 | 第50-51页 |
| 3.3.2 晶体管对光波长的响应 | 第51-52页 |
| 3.4 银纳米颗粒优化二硫化钼晶体管光探测性能研究 | 第52-60页 |
| 3.4.1 局域表面等离子体共振效应 | 第52-53页 |
| 3.4.2 器件的制备及材料的形貌表征 | 第53-54页 |
| 3.4.3 银纳米颗粒优化光探测性能测试与机理研究 | 第54-60页 |
| 3.5 小结 | 第60-62页 |
| 4 总结与展望 | 第62-64页 |
| 4.1 全文总结 | 第62-63页 |
| 4.2 工作展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 附录 攻读学位期间发表论文目录 | 第70页 |
