| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第17-20页 |
| 1.1.1 硅基CMOS尺寸缩小面临的挑战 | 第17-18页 |
| 1.1.2 高k栅介质 | 第18-19页 |
| 1.1.3 InGaAs沟道材料的优势 | 第19-20页 |
| 1.2 高k/InGaAs MOS的研究现状 | 第20-22页 |
| 1.3 论文结构及安排 | 第22-25页 |
| 第二章 高k/InGaAs MOS电容制备及分析方法 | 第25-43页 |
| 2.1 电容制备工艺 | 第25-26页 |
| 2.1.1 清洗预处理 | 第25页 |
| 2.1.2 薄膜制备 | 第25-26页 |
| 2.1.3 电极制备 | 第26页 |
| 2.2 物理学方法 | 第26-28页 |
| 2.2.1 透射电子显微镜(TEM) | 第26-27页 |
| 2.2.2 X射线光电子能谱(XPS) | 第27-28页 |
| 2.3 C-V特性 | 第28-30页 |
| 2.3.1 MOS电容的理想C-V特性 | 第28-30页 |
| 2.3.2 电学参数提取 | 第30页 |
| 2.4 界面态密度的提取方法 | 第30-37页 |
| 2.4.1 高k/InGaAs中的电荷分布 | 第30-34页 |
| 2.4.2 高频电容法 | 第34-36页 |
| 2.4.3 电导法 | 第36-37页 |
| 2.5 MOS电容栅漏电流机制 | 第37-42页 |
| 2.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 ZrO_2/In_(0.2)Ga_(0.8)As MOS界面特性研究 | 第43-59页 |
| 3.1 ZrO_2/In_(0.2)Ga_(0.8)As MOS电容制备 | 第43-44页 |
| 3.2 ZrO_2/In_(0.2)Ga_(0.8)As MOS界面特性分析 | 第44-48页 |
| 3.2.1 高k/InGaAs界面态成因 | 第44页 |
| 3.2.2 高k/InGaAs界面费米能级钉扎的成因 | 第44-45页 |
| 3.2.3 XPS界面元素分析 | 第45-48页 |
| 3.3 界面特性对电学特性的影响 | 第48-56页 |
| 3.3.1 C-V测试结果及分析 | 第48-49页 |
| 3.3.2 界面态密度的提取 | 第49-51页 |
| 3.3.3 I-V测试及漏电机制分析 | 第51-56页 |
| 3.4 改善高k/InGaAs界面特性的方法 | 第56-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 ZrO_2/ZnO/In_(0.2)Ga_(0.8)As MOS电容特性研究 | 第59-75页 |
| 4.1 ZrO_2/ZnO/In_(0.2)Ga_(0.8)As MOS电容制备 | 第59-60页 |
| 4.2 TEM和XPS测试及结果分析 | 第60-64页 |
| 4.2.1 TEM测试 | 第60页 |
| 4.2.2 XPS界面元素分析 | 第60-63页 |
| 4.2.3 有、无ZnO钝化层界面元素对比 | 第63-64页 |
| 4.3 C-V测试及结果对比分析 | 第64-66页 |
| 4.4 I-V测试及漏电机制分析 | 第66-70页 |
| 4.5 ZnO钝化层改善电学特性和界面质量的机理分析 | 第70-74页 |
| 4.5.1 ZnO对漏电的改善机理 | 第70-74页 |
| 4.5.2 ZnO对界面的改善机理 | 第74页 |
| 4.6 本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 总结和展望 | 第75-77页 |
| 5.1 总结 | 第75-76页 |
| 5.2 展望 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 作者简介 | 第83-84页 |
