| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 博士学位论文创新成果自评表 | 第9-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-23页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第12-13页 |
| 1.2 电场调制技术的发展和研究现状 | 第13-21页 |
| 1.2.1 栅工程 | 第13-16页 |
| 1.2.2 沟道工程 | 第16-17页 |
| 1.2.3 侧墙工程 | 第17-21页 |
| 1.3 论文的主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 基于栅工程的DMCGDGJLT | 第23-46页 |
| 2.1 栅工程的理论模型 | 第23-27页 |
| 2.2 DMCGDGJLT新结构 | 第27-31页 |
| 2.2.1 JLT器件的发展 | 第27-29页 |
| 2.2.2 DMCGDGJLT设计原理 | 第29-31页 |
| 2.3 DMCGDGJLT工作原理 | 第31-33页 |
| 2.4 DMCGDGJLT优化设计 | 第33-40页 |
| 2.4.1 沟道长度优化 | 第34页 |
| 2.4.2 掺杂浓度优化 | 第34-38页 |
| 2.4.3 栅极功函数优化 | 第38-40页 |
| 2.5 DMCGDGJLT性能分析 | 第40-45页 |
| 2.5.1 电学特性 | 第40-43页 |
| 2.5.2 灵敏度特性 | 第43-45页 |
| 2.6 本章小结 | 第45-46页 |
| 第3章 基于沟道工程的GC-DGFET | 第46-75页 |
| 3.1 沟道工程的理论模型 | 第46-50页 |
| 3.2 GC-DGFET新结构 | 第50-55页 |
| 3.2.1 电荷等离子体概念的介绍 | 第50-52页 |
| 3.2.2 GC-DGFET设计原理 | 第52-54页 |
| 3.2.3 GC-DGFET实现工艺设计 | 第54-55页 |
| 3.3 GC-DGFET工作原理和优化设计 | 第55-60页 |
| 3.3.1 工作原理 | 第56-57页 |
| 3.3.2 优化设计 | 第57-60页 |
| 3.4 GC-DGFET性能分析 | 第60-69页 |
| 3.4.1 DC特性 | 第60-62页 |
| 3.4.2 AC特性 | 第62-66页 |
| 3.4.3 灵敏度特性 | 第66-68页 |
| 3.4.4 温度特性 | 第68-69页 |
| 3.5 GC-DGFET单粒子辐射特性 | 第69-73页 |
| 3.6 本章小结 | 第73-75页 |
| 第4章 基于侧墙工程的High-κ及双κ侧墙GC-DGFET | 第75-111页 |
| 4.1 侧墙工程理论 | 第75-81页 |
| 4.2 High-κ侧墙GC-DGFET新结构及其电学特性 | 第81-93页 |
| 4.2.1 工作原理 | 第82-85页 |
| 4.2.2 DC性能分析 | 第85-90页 |
| 4.2.3 AC性能分析 | 第90-93页 |
| 4.3 双κ侧墙GC-DGFET新结构及其电学特性 | 第93-110页 |
| 4.3.1 双κ侧墙GC-DGFET新结构 | 第93-95页 |
| 4.3.2 内侧high-κ侧墙长度优化 | 第95-97页 |
| 4.3.3 电学特性 | 第97-106页 |
| 4.3.4 双κ侧墙GC-DGFET电容和本征延迟特性 | 第106-110页 |
| 4.4 本章小结 | 第110-111页 |
| 结论 | 第111-114页 |
| 参考文献 | 第114-134页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第134-135页 |
| 致谢 | 第135-136页 |
