| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 引言 | 第17-18页 |
| 1.2 Si MOS器件尺寸缩小及面临的挑战 | 第18-20页 |
| 1.3 高K栅介质材料及应用条件 | 第20-24页 |
| 1.4 本文内容安排 | 第24-25页 |
| 第二章 栅介质及MOS电容特性的表征方法 | 第25-41页 |
| 2.1 栅介质结构特性表征 | 第25-29页 |
| 2.1.1 光谱椭偏仪 | 第25-27页 |
| 2.1.2 原子力显微镜 | 第27-28页 |
| 2.1.3 X射线光电子能谱 | 第28-29页 |
| 2.2 MOS电容C-V特性 | 第29-31页 |
| 2.2.1 MOS电容结构 | 第29-31页 |
| 2.2.2 MOS电容理想C-V特性 | 第31页 |
| 2.3 MOS系统中电荷的构成及表征 | 第31-36页 |
| 2.3.1 MOS系统中的电荷构成 | 第31-34页 |
| 2.3.2 界面态密度的计算 | 第34-36页 |
| 2.4 MOS电容漏电流机制 | 第36-40页 |
| 2.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 Y_2O_3/Si MOS电容制备及结构特性分析 | 第41-59页 |
| 3.1 磁控溅射法 | 第41-43页 |
| 3.2 Y_2O_3/Si MOS电容制备 | 第43-46页 |
| 3.2.1 磁控溅射法淀积Y_2O_3工艺研究 | 第43-44页 |
| 3.2.2 实验组设置及MOS电容制备 | 第44-46页 |
| 3.3 椭偏仪及AFM测试 | 第46-48页 |
| 3.3.1 椭偏仪测试 | 第46-47页 |
| 3.3.2 AFM测试 | 第47-48页 |
| 3.4 XPS测试及结果分析 | 第48-58页 |
| 3.4.1 介质层及Y_2O_3/Si界面XPS分析 | 第48-55页 |
| 3.4.2 Y_2O_3/Si能带带偏分析 | 第55-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 Y_2O_3/Si MOS电容电学特性测试及分析 | 第59-73页 |
| 4.1 C-V测试及结果分析 | 第59-65页 |
| 4.2 I-V测试及结果分析 | 第65-68页 |
| 4.3 Y_2O_3/Si MOS电容漏电流机理分析 | 第68-71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-73页 |
| 第五章 总结和展望 | 第73-75页 |
| 5.1 总结 | 第73-74页 |
| 5.2 展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 作者简介 | 第81-82页 |
