| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-25页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第17-18页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第18-21页 |
| 1.2.1 总剂量辐照效应 | 第18-19页 |
| 1.2.2 总剂量辐照效应的建模方法 | 第19-21页 |
| 1.3 研究目标和研究内容 | 第21-22页 |
| 1.3.1 研究目标 | 第21页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第21-22页 |
| 1.4 创新之处和组织结构 | 第22-25页 |
| 1.4.1 创新之处 | 第22页 |
| 1.4.2 组织结构 | 第22-25页 |
| 第二章 CMOS反相器总剂量辐照效应及其参数提取 | 第25-35页 |
| 2.1 CMOS反相器的工作原理 | 第25-29页 |
| 2.2 CMOS反相器总剂量辐照效应 | 第29-32页 |
| 2.2.1 总剂量辐照效应物理过程 | 第29-30页 |
| 2.2.2 总剂量辐照对CMOS反相器的影响 | 第30-32页 |
| 2.3 CMOS反相器阈值电压提取技术 | 第32-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 CMOS反相器总剂量辐照阈值电压提取方法 | 第35-53页 |
| 3.1 CMOS反相器阈值电压提取方法 | 第35-39页 |
| 3.1.1 方法原理 | 第35-38页 |
| 3.1.2 提取步骤 | 第38-39页 |
| 3.2 实验验证 | 第39-52页 |
| 3.2.1 实验方案 | 第39-43页 |
| 3.2.2 实验结果与分析 | 第43-48页 |
| 3.2.3 仿真与对比 | 第48-52页 |
| 3.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 CMOS反相器总剂量辐照效应建模方法 | 第53-75页 |
| 4.1 CMOS反相器总剂量辐照效应简化建模方法 | 第53-60页 |
| 4.1.1 简化模型原理 | 第53-57页 |
| 4.1.2 简化模型存在的问题 | 第57-60页 |
| 4.2 CMOS反相器总剂量辐照效应改进建模方法 | 第60-66页 |
| 4.2.1 总剂量辐照剂量率效应分析 | 第60-62页 |
| 4.2.2 考虑剂量率效应的CMOS反相器总剂量辐照效应模型 | 第62-66页 |
| 4.3 模型验证 | 第66-74页 |
| 4.3.1 总剂量辐照实验 | 第66-69页 |
| 4.3.2 改进模型的验证与分析 | 第69-72页 |
| 4.3.3 CMOS反相器总剂量辐照效应仿真 | 第72-74页 |
| 4.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 总结与展望 | 第75-77页 |
| 5.1 论文总结 | 第75-76页 |
| 5.2 研究展望 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 作者简介 | 第83-85页 |