| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-30页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第16-21页 |
| 1.1.1 CMOS集成电路的发展 | 第16-18页 |
| 1.1.2 Ge材料研究意义 | 第18-19页 |
| 1.1.3 Ge基MOSFET器件面临的挑战 | 第19-21页 |
| 1.2 Ge界面钝化研究进展 | 第21-27页 |
| 1.2.1 N钝化方式 | 第21-22页 |
| 1.2.2 Si钝化方式 | 第22-25页 |
| 1.2.3 热氧化处理钝化 | 第25-26页 |
| 1.2.4 其他钝化方式 | 第26-27页 |
| 1.3 研究目的和研究内容 | 第27-30页 |
| 第二章 Ge基器件制备相关工艺分析 | 第30-42页 |
| 2.1 原子层淀积(ALD)技术 | 第30-35页 |
| 2.1.1 原子层淀积技术原理 | 第30-32页 |
| 2.1.2 影响ALD生长的因素 | 第32-35页 |
| 2.2 磁控溅射(Sputter)技术 | 第35-37页 |
| 2.2.1 磁控溅射Si钝化原理 | 第35-37页 |
| 2.2.2 磁控溅射影响因素及优势 | 第37页 |
| 2.3 材料表征相关技术 | 第37-41页 |
| 2.3.1 快速热退火技术(RTP) | 第37-39页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM)技术 | 第39-40页 |
| 2.3.3 原子力显微镜(AFM) | 第40-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 Si钝化Ge pMOSFET界面研究 | 第42-56页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 Si钝化样品制备工艺流程 | 第42-45页 |
| 3.3 Si钝化厚度对器件影响分析 | 第45-51页 |
| 3.3.1 不同Si钝化时间电学参数分析 | 第45-50页 |
| 3.3.2 分析结论 | 第50-51页 |
| 3.4 不同晶向Si钝化对器件影响分析 | 第51-54页 |
| 3.4.1 不同晶向钝化电学参数分析 | 第51-54页 |
| 3.4.2 分析结论 | 第54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 O_3钝化Ge pMOSFET界面研究 | 第56-72页 |
| 4.1 引言 | 第56页 |
| 4.2 热氧化钝化MOS电容制备及性能分析 | 第56-61页 |
| 4.2.1 MOS结构电容制备工艺 | 第56-58页 |
| 4.2.2 O_3钝化电学特性分析 | 第58-61页 |
| 4.3 O_3钝化Ge pMOSFET制备工艺流程 | 第61-65页 |
| 4.4 O_3钝化pMOSFET电学性能分析 | 第65-71页 |
| 4.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 总结与展望 | 第72-76页 |
| 5.1 本章文工作总结 | 第72-73页 |
| 5.2 研究展望 | 第73-76页 |
| 参考文献 | 第76-82页 |
| 致谢 | 第82-84页 |
| 作者简介 | 第84-85页 |