60V 功率U-MOSFET失效分析与再设计
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 功率MOSFET研究背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 功率MOSFET研究现状 | 第11-16页 |
| 1.2.1 功率MOSFET的发展过程 | 第11-14页 |
| 1.2.2 功率MOSFET的国内外研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 功率MOSFET的工作原理和重要参数 | 第17-31页 |
| 2.1 功率MOSFET的工作原理 | 第17页 |
| 2.2 U-MOSFET的仿真设计流程及工艺流程 | 第17-20页 |
| 2.3 U-MOSFET的重要参数 | 第20-27页 |
| 2.3.1 导通电阻 | 第20-25页 |
| 2.3.2 阈值电压 | 第25-26页 |
| 2.3.3 击穿电压 | 第26-27页 |
| 2.4 参数测试原理 | 第27-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 60V U-MOSFET芯片失效分析 | 第31-41页 |
| 3.1 失效60V芯片流片测试数据分析 | 第31-33页 |
| 3.2 失效60V芯片失效理论分析 | 第33-40页 |
| 3.2.1 失效理论分析 | 第33-36页 |
| 3.2.2 失效模型外延电阻物理方程推导 | 第36-38页 |
| 3.2.3 仿真验证 | 第38-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 60V U-MOSFET芯片再设计与优化 | 第41-58页 |
| 4.1 元胞的设计与优化 | 第41-44页 |
| 4.2 终端结构的设计与优化 | 第44-53页 |
| 4.2.1 多浮空场限环特性研究 | 第45-49页 |
| 4.2.2 场板特性研究 | 第49-51页 |
| 4.2.3 多场限环场板复合结构的60V终端优化 | 第51-53页 |
| 4.3 版图的绘制 | 第53页 |
| 4.4 流片测试数据分析 | 第53-57页 |
| 4.4.1 裸片测试数据分析 | 第53-55页 |
| 4.4.2 封装测试数据分析 | 第55-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 结论及未来工作 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第63页 |
