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Ge MOS器件阈值电压模型及ZrLaON栅介质研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
1 绪论第10-21页
    1.1 集成电路的发展第10-13页
    1.2 MOS器件面临的挑战第13-15页
    1.3 高k栅介质Ge MOS器件的研究意义第15-16页
    1.4 高k栅介质Ge MOS器件研究的进展第16-19页
    1.5 本文的主要工作及内容安排第19-21页
2 Ge MOS器件制备工艺及性能表征第21-32页
    2.1 Ge MOS器件制备工艺第21-26页
    2.2 栅介质薄膜性能表征第26-27页
    2.3 MOS器件电学特性表征第27-31页
    2.4 本章小结第31-32页
3 叠层高k栅介质全耗尽GeOI pMOSFET阈值电压模型第32-44页
    3.1 引言第32页
    3.2 器件结构和模型建立第32-37页
    3.3 模拟结果分析与讨论第37-43页
    3.4 本章小结第43-44页
4 掺杂Zr基氮氧化物栅介质Ge MOS界面特性研究第44-51页
    4.1 引言第44-45页
    4.2 样品制备第45-46页
    4.3 样品测试及结果分析第46-49页
    4.4 本章小结第49-51页
5 ZrLaON栅介质La含量的优化及等离子体表面钝化研究第51-62页
    5.1 引言第51页
    5.2 样品制备第51-52页
    5.3 ZrLaON栅介质La含量的优化研究第52-55页
    5.4 ZrLaON栅介质等离子体表面钝化研究第55-60页
    5.5 本章小结第60-62页
6 总结与展望第62-65页
    6.1 全文总结第62-63页
    6.2 工作展望第63-65页
致谢第65-66页
参考文献第66-72页

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