| 摘要 | 第2-3页 |
| ABSTRACT | 第3页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 课题研究工作的主要内容及意义 | 第10页 |
| 1.3 可靠性定义 | 第10页 |
| 1.4 VLSI栅极氧化层介质的可靠性研究现状 | 第10-13页 |
| 1.5 论文的结构 | 第13-14页 |
| 1.6 本章小结 | 第14-15页 |
| 第二章 失效分析、可靠性评价方法 | 第15-44页 |
| 2.1 VLSI失效分析技术 | 第15-16页 |
| 2.2 失效分析的作用 | 第16-17页 |
| 2.3 失效分析工作的流程和通用原则 | 第17-18页 |
| 2.3.1 失效分析工作地流程 | 第17页 |
| 2.3.2 失效分析的一些原则 | 第17-18页 |
| 2.4 VLSI可靠性评价方法 | 第18-43页 |
| 2.4.1 可靠性评价机台介绍 | 第19-36页 |
| 2.4.2 可靠性评价方法 | 第36-43页 |
| 2.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 栅极氧化层可靠性的制程改善方案分析 | 第44-59页 |
| 3.1 方案设计背景 | 第44-45页 |
| 3.2 EPFlash 0.18um工艺栅极氧化层工艺 | 第45-50页 |
| 3.2.1 硅片制造厂的分区概述 | 第46-47页 |
| 3.2.2 EPFLASH 0.18um CMOS工艺制作步骤 | 第47-50页 |
| 3.3 STI制程与栅极氧化层可靠性关系 | 第50-52页 |
| 3.3.1 STI制程简介 | 第51-52页 |
| 3.3.2 STI制程对栅极氧化层可靠性的影响 | 第52页 |
| 3.4 相关制程的比对分析 | 第52-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 栅极氧化层可靠性的制程改善 | 第59-71页 |
| 4.1 制程步骤顺序的实验 | 第59-65页 |
| 4.1.1 制程步骤顺序的实验设计 | 第59-60页 |
| 4.1.2 制程步骤顺序的实验结果 | 第60-65页 |
| 4.2 STI高度的实验 | 第65-69页 |
| 4.2.1 实验设计 | 第65-66页 |
| 4.2.2 STI高度的实验结果 | 第66-69页 |
| 4.3 制程改善措施 | 第69-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 5.1 论文的主要研究工作 | 第71页 |
| 5.2 课题相关之展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 谢辞 | 第75-78页 |
| 上海交通大学学位论文答辫决议书 | 第78-79页 |