600V功率MOSFET器件的元胞结构研究

摘要	第1-7页
Abstract	第7-11页
第一章 绪论	第11-17页
·研究背景及意义	第11-12页
·功率MOSFET的发展与国内外研究现状	第12-16页
·结构的研究	第12-15页
·材料的研究	第15-16页
·本文的主要工作和安排	第16-17页
第二章 VDMOS的工作原理和重要参数	第17-27页
·VDMOS的工作原理	第17页
·VDMOS的主要性能参数	第17-26页
·阈值电压(V_(th))	第18页
·导通电阻(R_(ds,on))	第18-22页
·击穿电压(BV_(dss))	第22-23页
·器件电容	第23-25页
·栅电荷	第25-26页
·本章小结	第26-27页
第三章 600V功率VDMOS元胞结构设计	第27-39页
·结构参数的选取	第27-28页
·仿真工艺流程	第28-31页
·仿真结果分析	第31-38页
·外延厚度(t_(epi))对器件性能参数的影响	第31-34页
·栅极宽度(W_G)对器件参数的影响	第34-38页
·本章小结	第38-39页
第四章 栅漏电容优化结构设计与仿真	第39-46页
·优化栅漏电容的结构及工艺实现	第39-40页
·栅极下面加厚氧化层的模型仿真	第40-41页
·栅漏电容转化成栅源极电容的模型仿真	第41-45页
·本章小结	第45-46页
第五章 半超结模型的研究	第46-60页
·半超结结构分析	第46-47页
·半超结结构工艺实现	第47-48页
·半超结结构仿真结果与分析	第48-59页
·P柱宽度对性能参数的影响	第48-52页
·增大N柱掺杂浓度优化导通电阻	第52-58页
·半超结与传统VDMOS结构比较分析	第58-59页
·本章小结	第59-60页
结论与未来的工作	第60-61页
致谢	第61-62页
参考文献	第62-66页
攻读硕士期间发表的论文	第66页