摘要 | 第5-7页 |
abstract | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第11-22页 |
1.1 研究目的 | 第11-12页 |
1.2 碳化硅材料结构与特性 | 第12-15页 |
1.2.1 碳化硅晶体结构 | 第13-14页 |
1.2.2 碳化硅物理特性 | 第14-15页 |
1.3 SiCUMOSFET的研究进展 | 第15-20页 |
1.4 本文的主要研究内容 | 第20-22页 |
第2章 4H-SiCUMOSFET结构及工作机理 | 第22-32页 |
2.1 4H-SiCUMOSFET基本结构与工作原理 | 第22-24页 |
2.2 4H-SiCUMOSFET电学特性参数 | 第24-31页 |
2.2.1 阈值电压 | 第24-25页 |
2.2.2 导通电阻 | 第25-27页 |
2.2.3 击穿电压 | 第27-28页 |
2.2.4 反向恢复特性 | 第28-29页 |
2.2.5 栅电荷特性 | 第29-31页 |
2.3 本章小结 | 第31-32页 |
第3章 p/n交替缓冲层4H-SiCUMOSFET | 第32-44页 |
3.1 p/n交替缓冲层4H-SiCUMOSFET结构原理与参数 | 第32-34页 |
3.2 p/n交替缓冲层4H-SiCUMOSFET电学特性仿真与分析 | 第34-37页 |
3.2.1 p/n交替缓冲层4H-SiCUMOSFET开态特性 | 第34-35页 |
3.2.2 p/n交替缓冲层4H-SiCUMOSFET关态特性 | 第35-36页 |
3.2.3 p/n交替缓冲层4H-SiCUMOSFET栅电荷特性 | 第36-37页 |
3.3 p/n交替缓冲层4H-SiCUMOSFET优值及参数优化 | 第37-41页 |
3.3.1 p/n交替缓冲层4H-SiCUMOSFET优值 | 第37-38页 |
3.3.2 p/n交替缓冲层4H-SiCUMOSFET关键参数优化 | 第38-41页 |
3.4 p/n交替缓冲层4H-SiCUMOSFET结构工艺步骤 | 第41-42页 |
3.5 本章小结 | 第42-44页 |
第4章 p型突出屏蔽区4H-SiCUMOSFET | 第44-55页 |
4.1 p型突出屏蔽区4H-SiCUMOSFET结构原理与参数 | 第44-45页 |
4.2 p型突出屏蔽区4H-SiCUMOSFET电学特性仿真与分析 | 第45-51页 |
4.2.1 p型突出屏蔽区4H-SiCUMOSFET开态特性 | 第46-47页 |
4.2.2 p型突出屏蔽区4H-SiCUMOSFET关态特性 | 第47-48页 |
4.2.3 p型突出屏蔽区4H-SiCUMOSFET反向恢复特性 | 第48-51页 |
4.3 p型突出屏蔽区4H-SiCUMOSFET优值及参数优化 | 第51-53页 |
4.3.1 p型突出屏蔽区4H-SiCUMOSFET优值 | 第51页 |
4.3.2 p型突出屏蔽区4H-SiCUMOSFET关键参数优化 | 第51-53页 |
4.4 p型突出屏蔽区4H-SiCUMOSFET结构工艺步骤 | 第53-54页 |
4.5 本章小结 | 第54-55页 |
第5章 p~+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiCUMOSFET | 第55-67页 |
5.1 p~+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiCUMOSFET结构原理与参数 | 第55-56页 |
5.2 p~+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiCUMOSFET电学特性仿真与分析 | 第56-61页 |
5.2.1 p~+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiCUMOSFET开态特性 | 第57-59页 |
5.2.2 p~+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiCUMOSFET关态特性 | 第59-60页 |
5.2.3 p~+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiCUMOSFET反向恢复特性 | 第60-61页 |
5.3 p~+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiCUMOSFET优值及参数优化 | 第61-64页 |
5.3.1 p~+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiCUMOSFET优值 | 第61-62页 |
5.3.2 p~+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiCUMOSFET关键参数优化 | 第62-64页 |
5.4 p~+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiCUMOSFET结构工艺步骤 | 第64-65页 |
5.5 本章小结 | 第65-67页 |
结论 | 第67-69页 |
参考文献 | 第69-74页 |
攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第74-75页 |
致谢 | 第75页 |