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功率4H-SiC UMOSFET结构设计与数值仿真

摘要第5-7页
abstract第7-8页
第1章 绪论第11-22页
    1.1 研究目的第11-12页
    1.2 碳化硅材料结构与特性第12-15页
        1.2.1 碳化硅晶体结构第13-14页
        1.2.2 碳化硅物理特性第14-15页
    1.3 SiCUMOSFET的研究进展第15-20页
    1.4 本文的主要研究内容第20-22页
第2章 4H-SiCUMOSFET结构及工作机理第22-32页
    2.1 4H-SiCUMOSFET基本结构与工作原理第22-24页
    2.2 4H-SiCUMOSFET电学特性参数第24-31页
        2.2.1 阈值电压第24-25页
        2.2.2 导通电阻第25-27页
        2.2.3 击穿电压第27-28页
        2.2.4 反向恢复特性第28-29页
        2.2.5 栅电荷特性第29-31页
    2.3 本章小结第31-32页
第3章 p/n交替缓冲层4H-SiCUMOSFET第32-44页
    3.1 p/n交替缓冲层4H-SiCUMOSFET结构原理与参数第32-34页
    3.2 p/n交替缓冲层4H-SiCUMOSFET电学特性仿真与分析第34-37页
        3.2.1 p/n交替缓冲层4H-SiCUMOSFET开态特性第34-35页
        3.2.2 p/n交替缓冲层4H-SiCUMOSFET关态特性第35-36页
        3.2.3 p/n交替缓冲层4H-SiCUMOSFET栅电荷特性第36-37页
    3.3 p/n交替缓冲层4H-SiCUMOSFET优值及参数优化第37-41页
        3.3.1 p/n交替缓冲层4H-SiCUMOSFET优值第37-38页
        3.3.2 p/n交替缓冲层4H-SiCUMOSFET关键参数优化第38-41页
    3.4 p/n交替缓冲层4H-SiCUMOSFET结构工艺步骤第41-42页
    3.5 本章小结第42-44页
第4章 p型突出屏蔽区4H-SiCUMOSFET第44-55页
    4.1 p型突出屏蔽区4H-SiCUMOSFET结构原理与参数第44-45页
    4.2 p型突出屏蔽区4H-SiCUMOSFET电学特性仿真与分析第45-51页
        4.2.1 p型突出屏蔽区4H-SiCUMOSFET开态特性第46-47页
        4.2.2 p型突出屏蔽区4H-SiCUMOSFET关态特性第47-48页
        4.2.3 p型突出屏蔽区4H-SiCUMOSFET反向恢复特性第48-51页
    4.3 p型突出屏蔽区4H-SiCUMOSFET优值及参数优化第51-53页
        4.3.1 p型突出屏蔽区4H-SiCUMOSFET优值第51页
        4.3.2 p型突出屏蔽区4H-SiCUMOSFET关键参数优化第51-53页
    4.4 p型突出屏蔽区4H-SiCUMOSFET结构工艺步骤第53-54页
    4.5 本章小结第54-55页
第5章 p~+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiCUMOSFET第55-67页
    5.1 p~+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiCUMOSFET结构原理与参数第55-56页
    5.2 p~+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiCUMOSFET电学特性仿真与分析第56-61页
        5.2.1 p~+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiCUMOSFET开态特性第57-59页
        5.2.2 p~+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiCUMOSFET关态特性第59-60页
        5.2.3 p~+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiCUMOSFET反向恢复特性第60-61页
    5.3 p~+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiCUMOSFET优值及参数优化第61-64页
        5.3.1 p~+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiCUMOSFET优值第61-62页
        5.3.2 p~+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiCUMOSFET关键参数优化第62-64页
    5.4 p~+-polySi/SiC屏蔽区4H-SiCUMOSFET结构工艺步骤第64-65页
    5.5 本章小结第65-67页
结论第67-69页
参考文献第69-74页
攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果第74-75页
致谢第75页

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