| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 射频CMOS场效应管的发展 | 第10-12页 |
| 1.2 MOSFET模型分类 | 第12-13页 |
| 1.3 MOSFET模型的发展 | 第13-15页 |
| 1.4 本文主要内容 | 第15-16页 |
| 第二章 MOSFET模型中的典型物理效应 | 第16-29页 |
| 2.1 影响阈值电压的效应 | 第16-20页 |
| 2.1.1 垂直非均匀掺杂 | 第17-18页 |
| 2.1.2 横向非均匀掺杂 | 第18-19页 |
| 2.1.3 短沟效应 | 第19页 |
| 2.1.4 反向短沟效应 | 第19-20页 |
| 2.2 沟道电荷理论 | 第20-25页 |
| 2.2.1 积累区 | 第21-22页 |
| 2.2.2 耗尽区 | 第22-23页 |
| 2.2.3 反型区 | 第23-25页 |
| 2.3 载流子迁移率 | 第25页 |
| 2.4 速率饱和 | 第25-26页 |
| 2.5 沟道长度调制 | 第26页 |
| 2.6 由碰撞电离引起的衬底电流 | 第26-28页 |
| 2.7 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 微波毫米波在片测试系统 | 第29-40页 |
| 3.1 散射参数矩阵 | 第29-31页 |
| 3.2 测试版图的设计 | 第31-37页 |
| 3.2.1 晶体管测试版图的设计 | 第32-34页 |
| 3.2.2 开路去嵌结构测试版图的设计 | 第34-35页 |
| 3.2.3 短路去嵌结构测试版图的设计 | 第35-37页 |
| 3.3 散射参数在片测试系统 | 第37-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 太赫兹CMOS晶体管小信号等效电路模型的研究 | 第40-55页 |
| 4.1 模型的基本组成部分 | 第40-41页 |
| 4.2 MOSFET小信号等效电路模型 | 第41-47页 |
| 4.2.1 经典小信号模型以及参数提取 | 第41-43页 |
| 4.2.2 经典小信号模型仿真与测量结果验证 | 第43-45页 |
| 4.2.3 新型衬底MOSFET小信号模型 | 第45-47页 |
| 4.3 太赫兹小信号晶体管模型 | 第47-51页 |
| 4.3.1 输入输出GSG焊盘模型 | 第47-49页 |
| 4.3.2 输入输出焊盘耦合模型 | 第49页 |
| 4.3.3 金属互连线模型 | 第49-50页 |
| 4.3.4 太赫兹晶体管小信号等效电路模型 | 第50-51页 |
| 4.4 太赫兹晶体管小信号模型的验证 | 第51-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 基于开路短路结构的新型去嵌方法 | 第55-77页 |
| 5.1 射频微波MOSFET去嵌技术 | 第55-59页 |
| 5.1.1 开路短路去嵌法的流程 | 第56-58页 |
| 5.1.2 开路短路法去嵌前后数据的比较 | 第58-59页 |
| 5.2 基于开路短路结构的新型去嵌方法 | 第59-76页 |
| 5.2.1 新型去嵌方法的流程 | 第60-64页 |
| 5.2.2 嵌入结构模型的建立 | 第64-71页 |
| 5.2.2.1 GSG焊盘与互连线模型分析 | 第64-66页 |
| 5.2.2.2 输入输出焊盘耦合模型分析 | 第66-67页 |
| 5.2.2.3 嵌入结构模型 | 第67-69页 |
| 5.2.2.4 开路短路模型结果比较 | 第69-71页 |
| 5.2.3 基于开路短路结构的新型去嵌入过程 | 第71-74页 |
| 5.2.4 去嵌结果比较 | 第74-76页 |
| 5.3 本章小结 | 第76-77页 |
| 第六章 结论 | 第77-79页 |
| 6.1 工作总结 | 第77-78页 |
| 6.2 未来展望 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第84-85页 |