| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 CMOS集成电路的发展 | 第10-11页 |
| 1.2 MOS器件面临的挑战 | 第11-12页 |
| 1.3 高k栅介质的研究概况 | 第12-13页 |
| 1.4 GeOI MOS器件研究的意义 | 第13-14页 |
| 1.5 GeOI MOS器件研究的进展 | 第14-15页 |
| 1.6 本文主要内容及结构安排 | 第15-17页 |
| 2 高k栅材料全耗尽GeOI MOSFET的结构优化 | 第17-29页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 器件结构和模型 | 第17-19页 |
| 2.3 模拟结果与讨论 | 第19-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-29页 |
| 3 不同钝化层改善Ge MOS器件界面及电特性研究 | 第29-40页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 制备工艺流程 | 第29-32页 |
| 3.3 电特性测量及相关参数的提取 | 第32-33页 |
| 3.4 实验过程 | 第33-35页 |
| 3.5 电特性测量及其结果分析 | 第35-39页 |
| 3.6 本章小结 | 第39-40页 |
| 4 NH_3等离子体处理钝化层致Ge MOS电容界面特性的改善 | 第40-46页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 实验过程 | 第40-42页 |
| 4.3 电特性测量及其结果分析 | 第42-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 5 总结与展望 | 第46-49页 |
| 5.1 总结 | 第46-47页 |
| 5.2 展望 | 第47-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-57页 |
