| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 pLDMOS器件的研究背景和意义 | 第11-13页 |
| 1.2 pLDMOS器件的发展概述 | 第13-23页 |
| 1.3 本文的主要内容及论文安排 | 第23-24页 |
| 第二章 pLDMOS器件的耐压理论与耐压模型 | 第24-37页 |
| 2.1 耐压理论 | 第24-30页 |
| 2.1.1 RESURF技术 | 第24-27页 |
| 2.1.2 ENDIF技术 | 第27-29页 |
| 2.1.3 场板技术 | 第29-30页 |
| 2.2 SOI pLDMOS结构的基本耐压模型 | 第30-36页 |
| 2.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 NBL PSOI pLDMOS新结构的设计和研究 | 第37-52页 |
| 3.1 NBL PSOI pLDMOS结构特性与机理分析 | 第37-38页 |
| 3.2 结构参数对器件特性的影响 | 第38-48页 |
| 3.2.1 器件结构参数的选取 | 第39-42页 |
| 3.2.2 关态特性的讨论 | 第42-45页 |
| 3.2.3 开态特性的讨论 | 第45-46页 |
| 3.2.4 温度特性的讨论 | 第46-47页 |
| 3.2.5 仿真结果比较 | 第47-48页 |
| 3.3 NBL PSOI pLDMOS工艺方案设计 | 第48-50页 |
| 3.4 NBL PSOI pLDMOS版图设计 | 第50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 N-region VFP LK pLDMOS新结构的设计与研究 | 第52-69页 |
| 4.1 N-region VFP LK pLDMOS器件结构和机理 | 第52-53页 |
| 4.2 仿真结果讨论 | 第53-65页 |
| 4.2.1 结构的参数优化设计 | 第54-58页 |
| 4.2.2 关断特性分析 | 第58-62页 |
| 4.2.3 导通特性分析 | 第62-64页 |
| 4.2.4 对比结果 | 第64-65页 |
| 4.3 N-region VFP LK pLDMOS器件制备方案 | 第65-67页 |
| 4.4 N-region VFP LK pLDMOS器件版图设计 | 第67-68页 |
| 4.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 附录A (攻读学位期间发表的论文) | 第79-80页 |
| 附录B (攻读学位期间申请的专利) | 第80页 |
